【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电器件
，尤其涉及到用于太阳能电池表面抗反射的 蛾眼结构的制备方法。
技术介绍
太阳光从空气进入半导体层，空气折射率为1，而半导体材料如GaAs，Si折射率在 3以上，因而界面处会形成大折射率阶跃，由此产生的Fresnel反射会损耗30%以上的能 量。目前通用的解决方法是采用1/4λ波长的介质膜作为抗反射层，但其带宽有限；多层介 质抗反射层具有宽光谱抗反射效果，但受限于各层材料折射率的选择与匹配，膜层边界的 热膨胀系数不同，以及膜层界面出现的材料扩散等问题，器件可靠性与稳定性不佳，特别是 当工作在极端条件下，如极高温度，此类问题尤为突出。受自然界蛾眼结构宽光谱抗反射功 能的启发，我们提出将制备类蛾眼结构，将其作为抗反射层用于太阳能电池，以提高对光的 吸收并增大电池光电转换效率。蛾眼结构实际是一种二维亚波长双周期纳米结构，侧壁倾 斜，可以等效为具有渐变折射率的抗反射层。其亚波长的性质，使得光入射时仅存在零级反 射光，进一步地抑制了反射，且这一性质在变角度入射时尤为明显，使反射谱对入射角度的 变化不敏感。蛾眼抗反射结构与多层膜系的抗反射结...
【技术保护点】
一种用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法，包括以下步骤：步骤１：取一太阳能电池所用的外延片，对外延片进行清洗；步骤２：在外延片上旋涂光刻胶；步骤３：对光刻胶进行前烘，形成样品；步骤４：采用双光束干涉曝光设备，对样品两次曝光、显影，形成二维周期光刻胶掩膜图形；步骤５：对显影后的样品进行后烘；步骤６：对样品进行于法刻蚀；步骤７：去除光刻胶掩膜图形，完成蛾眼结构的制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈熙，樊中朝，李宁，宋国锋，陈良惠，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11
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