【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指一种。
技术介绍
氮化镓材料是第三代半导体材料，禁带宽度为3. 4ev,由于它的性质稳定，又是波长位于蓝紫光的直接带隙发光材料，因此是制造蓝紫光发光二极管(LED)，高迁移率晶体管的材料，国家半导体照明把氮化镓材料列为中心。但是目前氮化镓材料主要是通过在异质衬底(蓝宝石、SiC、ZnO)进行外延，由于氮化镓和异质衬底存在较大的晶格和热膨胀系数失配，使得异质外延的氮化镓材料的位错和缺陷密度较高，难以制造高质量的光电子器件。 基于氮化镓衬底的同质外延技术将会解决这一问题，而生长高质量大面积的氮化镓晶体是目前面临的最大难点，如何实现高质量大面积的氮化镓晶体的生长的工业化和市场化将是解决目前国家半导体照明以及相关光电子产业的重中之重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种，该方法具有工艺简单，操作方便，高效率等特点，同时还能得到高质量，低成本的氮化镓衬底。传统氮化镓材料生长在异质衬底(蓝宝石、碳化硅、硅等)上，由于异质衬底同氮化镓存在较大的热失配和晶格失配，导致生长厚膜氮化镓时出现破裂，这严重影响到优质氮化镓衬底的制作。本专利...
【技术保护点】
１．一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上生长一层薄膜层；步骤３：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤４：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤５：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤６：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙波，伊晓燕，刘志强，汪炼成，郭恩卿，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11
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