一种GaN衬底的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明专利技术区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明专利技术制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种GaN衬底的制备技术，属于光电子器件的制备领域。
技术介绍
目前广泛使用的蓝宝石或者碳化硅衬底与GaN材料之间的晶格失配和热失配较大，造成GaN材料及其器件的质量下降。利用HVPE和MOCVD或MBE结合的外延方法制备自支撑GaN或复合厚膜GaN衬底技术一直对于GaN大功率LED、激光器等高性能的光电器件等方面都有非常重要的意义。由于蓝宝石或碳化硅等衬底与GaN材料有很大的晶格失配和热失配，GaN衬底的制备一直都受到残余应力大、外延片弯曲甚至开裂的影响而不能得到广泛应用。目前GaN 自支撑衬底中的应力控制的办法主要包括(1)低温插入层技术，主要是在生长过程中插入一层低温的应力调制层，达到缓解应力的效果。(2)图型化衬底的方法利用衬底的图形，释放在生长过程带来的应力。(3)侧向外延技术通过侧向外延，形成狭长的空隙，达到应力的释放。以上所述三种方法，对低温插入层、侧向外延技术等工艺的要求较高，过程相对复杂，容易受到工艺过程的影响而使GaN衬底材料的晶体质量受到影响，量产的产率不高，导致现有的GaN衬底还未能商业化，价格昂贵。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＧａＮ衬底的制备方法，其步骤包括：１）在衬底上生长一过渡层，该过渡层是由碳纳米管与纳米柱构成；２）外延生长厚膜ＧａＮ材料，形成厚膜ＧａＮ衬底或进行ＧａＮ剥离，形成自支撑ＧａＮ衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于彤军，龙浩，张国义，吴洁君，贾传宇，杨志坚，
申请(专利权)人：北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：11