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本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜G...
该专利属于北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司授权不得商用。

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