一种柔性神经电极植入系统，包括柔性电极，包括上下绝缘层、中间导电层和记录点修饰层，用于提取神经元的放电活动；植入仪器，包括植入主体和可压缩侧翼，用于将柔性电极送入目标脑区。本发明采用的是将柔性电极和植入工具结合的植入方式。所制备的柔性电...

一种基于微流体技术的变电容式眼压传感器及其系统，其中变电容式眼压传感器包括：角膜接触镜，包括两膜层及由两膜层形成的一内部空间；可变电容元件，内置于角膜接触镜的内部空间；可变电容元件的电极板间距为微流体间隙；螺旋电感，内置于角膜接触镜的内...

本发明提供一种采用高阶表面光栅的直接调制半导体激光器及其制备方法，包括：三层平板波导(1000)，包括至上而下的上波导层(1100)、芯层(1200)及下波导层(1300)，其中，上波导层(1100)为脊形，其脊背或脊侧面上形成有高阶表...

一种III族氮化物基分布式布拉格反射镜及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、多组叠层结构，每组叠层结构分别为由n型掺杂氮化物层和非故意掺杂氮化物层以固定厚度交替生长而形成的多周期性结构，且各组所述叠层结构之间的周期厚度不同；...

本发明公开了一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法，其自下往上包括：第一衬底，其为绝缘体上硅晶圆的最下层，材料组分为硅或二氧化硅；第一埋氧层，其为绝缘体上硅晶圆的第二层，材料组分为二氧化硅；第二埋氧层，其为绝缘体上硅晶圆的第三层，材料组分为...

本发明公开了一种单光子TOF传感器，包括：单光子TOF图像传感器探测元件，用于检测入射光子并发生雪崩，产生雪崩电流：单光子TOF图像传感器探测元件，用于检测入射光子并发生雪崩，产生雪崩电流：主动淬灭‑恢复电路，用于淬灭所述单光子TOF图...

一种传感器可任意布阵的超声波报靶方法及装置，所述方法包括：监测n个超声波传感器脉冲波形，获取弹丸击中靶板时在弹着点处产生的声波分别到达各所述超声波传感器的超声波接收时间；根据各所述超声波传感器的空间坐标和各所述超声波传感器对应的超声波接...

一种声光Q双脉冲激光除漆方法，包括：选择合适的振荡级模块重复频率与输出镜透过率，实现双脉冲激光输出；保持振荡级激光器驱动电流不变，调节声光Q开关衍射损耗下降时间，来控制双脉冲激光第一个脉冲与第二个脉冲的能量比例；调节振荡级模块抽运电流控...

一种柔性电极植入系统，包括：可折叠柔性电极，用于提取神经元的放电活动；植入导向仪器，包括植入导向平台和植入导向柱，用于将柔性电极送入目标脑区。本发明采用的是将柔性电极和植入工具结合的植入方式。所制备的柔性电极具有很好的生物相容性，不会引...

本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层...

一种用于铁路监测的非均匀单线扫描的三维雷达和方法，该三维雷达在扫描过程中扫描线间隔是一恒定的步进距离，扫描步进角度为一变化值。本发明提供一种特殊的扫描方式，使得单线雷达在用于铁路边界扫描时，线间隔是均匀的；也就是，激光照射铁轨及两侧轨道...

一种用于铁路监测的多线三维雷达及其扫描方法，该所述多线三维雷达在扫描过程中扫描线间隔是一恒定的步进距离，扫描步进角度为一变化值。本发明为多线雷达增加俯仰扫描的旋转电机，使多线雷达可以增加扫描的三维空间，实现高分辨、大角度的范围；本发明的...

一种半导体激光器，包括形变的蘑菇形腔、出光面和圆形散射点；形变的蘑菇形腔包括相连的半圆形光学谐振腔和类矩形光学谐振腔；出光面，为一椭圆形弧面，形成于所述类矩形光学谐振腔的端面上；且所述出光面的截面为所述类矩形光学谐振腔的矩形与一辅助椭圆...

一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包...

一种曲面异质结太阳电池及其制作方法，该曲面异质结太阳电池包括衬底；银纳米颗粒阵列，设置在衬底上；曲面金属膜，设置在银纳米颗粒阵列上，作为陷光结构及电荷收集电极；第一载流子传输层，设置在曲面金属膜上；吸光层，设置在第一载流子传输层上；第二...

本发明公开了一种波导耦合的光电探测器及其制备方法。其中，本发明的一个方面提供了一种波导耦合的光电探测器，可以包括：衬底，包括底部硅材料层、中间二氧化硅填埋层和顶层硅；波导层和微结构倍增区，由衬底上的部分顶层硅刻蚀而成，其中，微结构倍增区...

一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法，该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池；曲面陷光结构，设置在硅下电池上；载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；透明电极，设置在钙钛矿上电...

本公开提供了一种碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法，其碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；所述成核层外延生长在所述衬底上；所述缓冲层外延生长在所述成核层...

本发明提供一种可见光通信LED阵列及其制备方法，包括衬底；位于所述衬底上的M个间隔的LED结构，M＞2，所述LED结构包括：台面结构以及位于所述台面结构上的n电极和p电极；位于所述衬底和所述台面结构上的互连线，所述互连线连接于所述M个L...

一种HEMT器件及制作方法，其制作方法包括：在外延片上形成介质掩膜；在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶；去除栅足窗口内的介质掩膜；形成栅电极的栅足和金属掩膜；在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶，定义非裸露区域为源漏沟道区；去...