中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 一种基于BPSK调制的光学数模转换装置,包括:BPSK光信号产生单元,用于产生并输出二进制相位键控调制的光信号;调制格式转换单元,与BPSK光信号产生单元相连,用于将输入的BPSK信号转换成APSK调制格式,并输出格式转换后的光信号;平...
  • 一种半封装式探测器芯片测试装置,包括:光纤对准模块,固定于三维调节架之上,用于调节光纤输出的光场位置,使其与探测器芯片光敏面对准;芯片测试载体,用于固定探测器芯片,将外部的工作电压信号加载到探测器芯片上并将其产生的电流信号传输到外部测试...
  • 一种AlN模板制备方法,包括以下步骤:提供衬底;采用磁控溅射技术在所述衬底上沉积AlN薄膜,厚度为0.001微米至10微米,过程中通入含氧气体、纯氮气或氮气和惰性气体的混合气体,形成低质量AlN模板;其中,若通入含氧气体,则得到Al极性...
  • 本公开提供了一种材料生长速率测量方法,具体针对由两种材料交替生长构成的多量子阱或超晶格结构,能同时测量组成两种材料不同组分的生长速率的方法,或能同时测量两种材料的各自生长速率的方法。本公开采用多个在相同生长速率下制备的样品,结合X射线衍...
  • 本发明公开了一种硅基片上集成半导体放大器,包括:模场调控器,采用聚合物材料,其上设计包括载物台和相对于载物台对向设置的至少一组光传输波导,每组光传输波导包括光输入波导和光输出波导;InP基半导体放大器,置于载物台上,并具有光波导通路,光...
  • 本公开提供了一种隔热导电偏压衬底托,包括托体、石墨件、偏压电极、绝缘部。衬底放置于所述托体上表面;所述石墨件为石墨板或石墨杆;偏压电极与所述石墨件相连;绝缘部与所述石墨件下表面相连,所述绝缘部与腔体壁板相连。绝缘部包括第一绝缘件和第二绝...
  • 本发明公开了一种表贴式集成化光模块,包括:自对准波分复用器的内部制备具有合束功能的阵列波导,该阵列波导包括多个输入波导和一个输出波导,在每个输入波导处制备固定凹槽,在输出波导处制备固定V型槽,且该自对准波分复用器固定于功能基板上;激光器...
  • 一种稀疏卷积神经网络加速器及计算方法,其中,加速器包括:卷积计算模块,用于对输入特征图进行乘加处理,生成中间结果,其中,卷积计算模块由9个计算单元组成,每一计算单元由一个及以上的乘加器组成,同一计算单元中乘加器的激活输入相同,9个计算单...
  • 一种卷积神经网络计算装置,应用于计算机技术领域,包括:分布式局部存储模块,卷积计算模块,有效信号控制模块,地址管理模块以及缓冲输出模块,分布式局部存储模块,用于存储输入激活值和权重值,卷积计算模块,用于对输入激活值和权重值进行卷积运算,...
  • 一种LED封装管的测试板及测试方法,其中,测试板包括:测试电路,测试电路中串联有M个LED封装管;变阻器,变阻器串联至该M个LED封装管,并且,每一测试电路中串联一变阻器,通过调节变阻器的阻值来控制其相应的测试电路的电流。测试方法包括:...
  • 本发明公开了一种半导体激光合束装置,包括:阶梯热沉,为高度依序升高的多个台阶面;该阶梯热沉的各个台阶面上设置有:过渡热沉,焊接在该阶梯热沉上;激光器管芯,焊接在过渡热沉上;快轴准直透镜,设置于激光器管芯前方;慢轴准直透镜,设置于快轴准直...
  • 本发明提供了一种制备组分可调的二维h‑BNC杂化薄膜的方法。该方法包括:准备衬底并将衬底置于离子束溅射沉积系统内;预抽背底真空,然后在氢气气氛中对衬底进行升温并退火;退火结束后关闭氢气使腔室恢复至真空环境,然后向腔室内通入甲烷和氩气;利...
  • 一种双偏振光纤放大器,包括:泵浦源,用于输出泵浦光;保偏掺铒光纤,用于利用泵浦光将输入的信号光进行放大;双折射保偏光纤光栅,用于将放大的信号光转换为偏振态稳定的双偏振态放大信号光。本发明提出的双偏振光纤放大器结构新颖,可以实现两个偏振方...
  • 本发明实施例公开了一种单光子雪崩光电探测器焦平面阵列及制备方法,包括由下至上设置的第一电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层;第一电极设置于衬底的第一面,第一电极上设置有通光孔阵列;帽层内设置有阶梯状PN结阵列;保护层...
  • 一种水下贝塞尔光视觉导引方法,包括以下步骤:按照标志灯目标模板选择贝塞尔透镜;贝塞尔标志灯内的高斯光束在经过贝塞尔透镜后呈现为线段光束;多个贝塞尔标志灯点亮后,每个贝塞尔标志灯的光束形成一条线段,多条光束线段形成标志灯模态图;在水下无人...
  • 本发明公开了一种片上单元可配置的多协议兼容量子密钥分发解码集成芯片,包括第一可调光分路器,用于将输入光信号可调节分光,配置不同量子密钥分发协议解码需求;第二可调光分路器和第三可调光分路器,用于将输入光信号可调节分光,二者结构参数相同;第...
  • 一种GeSn和SiGeSn合金材料及其外延方法。所述方法包括:对硅衬底进行清洗,根据清洗方式,对所述硅衬底进行脱氧或脱氢处理;将所述硅衬底的温度调节至第一温度,并在所述硅衬底上沉积Si原子,以外延得到Si缓冲层;将所述硅衬底的温度调节至...
  • 一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:对硅片进行双面刻蚀,形成谐振子层;将硅层与玻璃层阳极键合,刻蚀玻璃层,形成图案化玻璃组合体;将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合;在谐振子层...
  • 本发明提供了一种温度场测量装置及方法。该温度场测量装置包括:光纤光栅阵列,封装有毛细玻璃管并用于检测由待测液体温度变化转变而来的光信号;以及信号处理单元,包含光源、光谱仪模块,以用于从光信号解调出待测液体温度信息。本发明的温度场测量装置...
  • 一种白光激光照明装置,包括激光模块、激光合束系统和荧光转换模块,其中,激光模块包括至少一颗红光激光二极管与至少一颗蓝光激光二极管,其发出的光束通过激光合束系统进行合束混光后耦合进光纤中,混合激光经光纤传输后入射到封装在多元件组合套筒内的...