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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法技术
本公开提供了一种p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法,其p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构,自下而上顺次包括:衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p型层;还包括:第一n型层、第二n型层、第一台面、第二台面、源电极、漏电极和栅电...
垂直腔面发射半导体激光器结构制造技术
本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器结构,包括:光学氧化限制层,位于激光器驻波波腹处,起光学限制的作用;电学氧化限制层,位于激光器驻波波节处,起到电流限制的作用;质子注入层,位于电学氧化限制层和光学氧化限制层上,提高激光器信息传输速...
图像显著性物体检测方法、装置、设备及介质制造方法及图纸
本发明提供一种图像显著性物体检测方法,包括:获取图像数据,对图像数据进行特征提取,输出多个尺寸的原始特征图;针对于每个原始特征图,对原始特征图的尺寸进行压缩,并对压缩尺寸后的特征图进行映射,获得原始特征图中的全局信息;针对于每个原始特征...
一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法技术
本公开提供了一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法,包括:GaSb衬底,以及在GaSb衬底上依次外延生长的下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层以及上接触层;其中,有源级联区包含多个周期,每个周期包含注入区与有源区,在注...
磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用技术
一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用,该同质结磁阻器件包括硅层;二氧化硅层,其设置在硅层上,与硅层共同作为栅极和绝缘层;第一纳米片和第二纳米片,均设置在二氧化硅层上,第一纳米片和第二纳米片部分重叠,该重叠区域形成垂直结构...
锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法技术
一种锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及其定向异质外延方法,其定向异质外延方法包括如下步骤:在硅衬底上形成掩膜层;利用光刻技术在掩膜层上形成图形化的光刻胶;对掩膜层进行刻蚀,去除图形化的光刻胶区域之外的掩膜层,使硅衬底裸露,形成硅生长窗口;...
热蒸发源炉制造技术
本公开提供了一种热蒸发源炉,包括:整体式全包围热屏蔽筒、坩埚、加热装置、加热装置底板和温度测量装置,整体式全包围热屏蔽筒底部与源炉法兰的上法兰面相连;整体式全包围热屏蔽筒顶部与坩埚密封相连;加热装置、加热装置底板和温度测量装置均设置于整...
阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法技术
本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法,其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括:衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层;还包括:p型GaN帽层、源极、漏极、绝缘介质层和栅极;p型GaN帽...
基于角膜接触镜的光学眼压检测设备及制备、使用方法技术
本公开提供一种基于角膜接触镜的光学眼压检测设备及制备、使用方法,基于角膜接触镜的光学眼压检测设备包括角膜接触镜、垂直腔面发射激光器、线圈、供电单元、电感耦合器件图像传感器以及数据记录及分析单元;利用集成在角膜接触镜边缘的两个超薄的垂直腔...
一种电容电压转换装置制造方法及图纸
本公开提供了一种电容电压转换装置,包括:电荷积分模块,包括第一运算放大器、反馈电容以及第三开关;采样保持模块,包括第三电容、第四电容、第五电容、第二运算放大器以及多个开关;第五电容的一端与第三电容的另一端连接,其另一端通过两开关分别与第...
具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器制造技术
一种具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器包括一氮化镓同质衬底;一n型同质外延层;一n型限制层;一n型波导层;一有源区;一AlInN镁反向扩散阻挡层;一p型电子阻挡层;一p型波导层;一p型限制层,其制作在p型波导层上,该p型...
一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法技术
本发明公开了一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法,包括:在衬底表面生长AlGaAs材料;在衬底表面生长AlGaAs材料的过程中进行生长停顿,将反应腔室内As原子耗尽;以及生长停顿结束后在AlGaAs材料表面生长AlGa...
具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器制造技术
一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底;一n型外延层;一n型限制层;一第一n型AlInN波导层;一第二n型AlInN波导层;一有源区;一AlInN波导层;一p型电子阻挡层;一p型AlInN波导层;一p型限制层,其制作在p型A...
量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法技术
一种量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法,制备方法包括,在衬底上外延生长GaAs缓冲层;在GaAs缓冲层上交替生长GaAs层和AlGaAs层而形成GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜;在GaAs/AlGaAs分布式布拉格反...
基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法技术
本发明公开了一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法,包括:构建一太赫兹波探测器模型;设置一束频率变化的平面太赫兹波,垂直入射到集成天线的太赫兹波探测器模型上;提取所述太赫兹波探测器模型的场效应晶体管的沟道中一位置的电场强度;...
混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法技术
本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法,其中,该氮化硅微环谐振腔包括:氮化硅波导;氮化硅微环谐振腔,设置与氮化硅波导形成耦合连接;楔形垂直耦合器,包括:氮化硅布拉格光栅耦合器,通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接,多晶硅楔...
野生动物监控的局部立体视觉红外相机系统及方法技术方案
本公开提供了一种野生动物监控的局部立体视觉红外相机系统及方法,包括:两个图像采集模块、感应触发模块、同步控制模块和图像处理模块;两个图像采集模块呈上下布设,且视场部分交叠;两个图像采集模块用于同步采集双目图像;感应触发模块用于红外感应野...
基于标志帧的帧相关选通三维成像方法及成像系统技术方案
一种基于标志帧的帧相关选通三维成像方法,包括以下步骤:对目标采集(2N+1)×M帧图像,其中2N帧图像是信息帧,1帧图像是背景帧,M是循环次数;当M=1,N=1时,对背景帧图像和两信息帧图像分别计算灰度平均值;比较三帧图像的灰度平均值,...
便携式紫外LED杀菌消毒盒制造技术
一种便携式紫外LED杀菌消毒盒,包括:消毒盒体,包括一带有底面的基础部和连接于所述基础部的折叠部,所述折叠部能收缩或伸展以调整所述消毒盒体的内部体积;消毒盒盖,压设于所述折叠部上,设置有紫外LED、压力传感器、控制电路和控制开关,其中:...
改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局制造技术
本发明公开了一种改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局,该结构包括:衬底;外延结构,制作于该衬底之上;源极,制作于该外延结构之上;漏极,制作于该外延结构之上;以及栅极,制作于该外延结构之上;其中,源极的宽度大于所述漏极的宽度,所述...
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