一种光子辅助光学串并转换系统，包括非归零码高速串行电信号加载模块、光域串并转换模块和码型转换模块，其中：非归零码高速串行电信号加载模块，用于输入非归零码高速串行电信号并进行色散延时，输出时域上依次延迟一个比特位的非归零码高速串行光信号；...

一种中红外波长全覆盖可调谐光模块，该可调谐光模块包括至少两个有源光器件、一个闪耀光栅和一个高反射金镜，其中：所述至少两个有源光器件，设置于可旋转圆柱体上，且在可旋转圆柱体旋转至指定位置时发射光；闪耀光栅，用于将接收自有源光器件的光分成两...

一种半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、远场缩减层、间隔层、量子阱材料层、光栅层；刻蚀去除位于模斑转换器区的光栅层，将保留的位于激光器区的光栅层制作光栅；在制作有光栅的基片上依次生长间隙层、腐蚀停止层、包层及...

一种集成激光器和光电探测器的光通信收发结构，至少包括一多模干涉耦合器、一激光器以及一光电探测器，激光器和光电探测器分别连接于所述多模干涉耦合器同侧的发射端和接收端，其中：激光器以及光电探测器由下至上均依次包括：衬底(1)、n‑InP缓冲...

本公开提供一种中红外单模激光器，包括：激光源，用于发出准直泵浦光；增益模块，用于接收所述泵浦光并生成受激辐射光；所述增益模块，包括：碳化硅散热片；碟片晶体，位于所述碳化硅散热片表面；以及铜热沉，包覆于所述碳化硅散热片及碟片晶体外，且留有...

一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法，该六方氮化硼紫外光探测器包括：衬底；绝缘层，形成于衬底的一表面上，并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口，露出衬底；第一石墨烯层，形成于绝缘层上，且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域；六...

一种GaN基常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法，方法包括：S1，在衬底(10)上依次制备成核层(11)、缓冲层(12)和第一高阻GaN层(13)；S2，在第一高阻GaN层(13)上制备图形化介质层(20)；S3，基于图形化介质层(20...

一种提高碳化硅少子寿命的方法，该方法包括将碳化硅外延层在氧气中升温氧化；保持温度不变，将得到的碳化硅通入NO气体进行氮氧氧化；将得到的碳化硅在缓冲液中浸泡去除氧化过程中在碳化硅外延层表面形成的氧化层；将得到的碳化硅在惰性气体下退火，即得...

本公开提供一种基于模块化设计的高信噪比光学电流互感器，包括：传感头模块，用于将待测电流信号转换为光信号；调制解调模块，通过保偏光缆与传感头模块相连，用于产生传感光载波信号，并从传感头模块返回的光信号中解调出待测电流信号。其采用传感头模块...

一种在硅熔体表面通过CVD制备自支撑碳化硅晶圆的方法，包括在一图形衬底上制备硅膜；在生长炉中升高温度使硅膜熔化形成硅熔体；保持温度不变，向生长炉中通入碳氢化合物气体，一段时间后形成悬浮于硅熔体表层的碳化硅籽晶层；向生长炉中通入碳氢化合物...

本公开提供了一种同波长激光信号与能量双传输系统，顺次设置包括：激光器、调制器、掺铒光纤放大器、隔离器、光纤耦合器；对所述激光器产生的光信号进行调制、放大、反向隔离以及分束；探测器对进入信号信道的光信号进行探测并读取信号；扩束器对进入能量...

一种三维空间束缚单杂质原子晶体管，基于SOI基片制备而成，所述三维空间束缚单杂质原子晶体管，包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在所述硅衬底上；双V型凹槽纳米结构，制作在所述氧化物绝缘层上，双V型凹槽位于双V型凹槽纳米结构的两端之间；源区硅...

本发明提供了一种电泵浦量子点单光子源及其制备方法，方法包括：步骤S101：准备III‑V族化合物量子阱发光芯片；步骤S102：在III‑V族化合物量子阱发光芯片上制作金属孔；步骤S103：在步骤S102制出的芯片表面引入量子点，完成器件...

一种基于谐振式传感器的生化检测系统及检测方法。生化检测系统包括：传感芯片组件，包括第一微流体腔和MEMS谐振式传感器芯片，MEMS谐振式传感器芯片的悬臂梁能够吸附流经第一微流体腔的待测物；微流道及驱动组件，用于驱动含待测物的样品液进入传...

一种高精度广域智能红外体温筛查方法及其系统，其中方法包括：步骤1：对待测目标进行可见光特征识别、提取，得到待测目标的可见光视场时空位置信息；步骤2：根据时空位置映射算法将可见光视场时空位置信息转换为红外光视场时空位置信息；步骤3：根据红...

一种具有消毒功能的便携式充电装置，该便携式充电装置包括充电模块，用于为手机充电；消毒模块，其设置在充电模块上，用于进行光学消毒；以及驱动显示模块，用于控制和显示消毒模块的工作状态。本实用新型采用紫外消毒技术，达到净化效果，是一种高效安全...

一种光跳频系统的发射机，其中：所述伪随机码生成器生成的伪随机码信号转化成调制电流，分别对两个电吸收调制激光器的增益区进行相反的调制，从而所述电吸收调制激光器输出两个强度相同、波长互补的被调制激光，分别作为光跳频载波进入到两个马赫‑曾德尔...

本发明公开了一种片上键合Si/III‑V量子点单光子源及其制备方法，该量子点单光子源包括：波导耦合器件；量子点单光子源光源激光器，键合于波导耦合器件的垂直上方，该量子点单光子源光源激光器采用以III‑V族量子点为有源层的外延片制作单光子...

一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法，该方法包括：对二次外延之前的一次外延片做原位刻蚀处理；以及在原位刻蚀后的一次外延片上进行InGaAsP、InAlGaAs、AlGaAs或AlGaInP材料的二次外延生长。本发明在反应腔室中通...

本公开实施方式提供了一种芯片夹具。所述芯片夹具包括：多面体结构，包括多个夹具单元，各所述夹具单元的吸孔与真空接阀位于所述多面体结构的外表面，且不同夹具单元上的吸孔形成不同的形状；其中，所述真空接阀用于外接真空泵，并在所述夹具单元的壳体内...