本发明公开了一种基于卷积神经网络的足迹识别及信息挖掘方法及系统，该系统包括：采集模块，包括压力传感器和摄像头，采集待测人员的足迹图像及生物信息；预测模块，对采集到的足迹图像进行预处理及特征提取，得到身份信息或预测的生物信息；显示模块，显...

一种表面光栅半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、量子阱层、包层及接触层；在接触层上沉积SiN层，并制作SiN光栅掩模；在SiN光栅掩模及裸露的接触层上沉积SiO

一种聚乙烯吡咯烷酮掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，该钙钛矿太阳能电池包括衬底，起支撑作用；氧化锡电子传输层，其制作在衬底上，该氧化锡电子传输层掺杂有聚乙烯吡咯烷酮；钙钛矿吸收层，其制作在氧化锡电子传输层上；钝化层，其制作在钙钛...

本发明公开了一种光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件；其中，光刻胶辅助局域加热的磁存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，位于衬底上，通过在自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，位于自旋轨...

本发明公开了一种面内不对称的磁存储单元和制备方法；其中，所述面内不对称的磁存储单元包括：衬底；垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。本发明在没有重金属层或其它强自旋轨道耦合...

一种抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法，该氮化镓基紫外发光器件包括一衬底；一低温成核层；一n型GaN；一n型AlGaN；一InGaN/AlGaN量子阱有源区；一p型电子阻挡层；一p型AlGaN；一p型重掺接触层；一p型欧姆电...

一种LED与OLED串联的可调谐白光三端发光器件，所述器件包括：透明衬底；蓝光LED结构，其形成在所述透明衬底上，包括P电极与N电极；OLED结构，其形成在所述LED结构上，包括阳极与阴极；所述蓝光LED结构的P电极作为所述器件的阳极；...

本公开提供了一种混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法，其混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在所述势垒层上面；栅绝...

本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真空泵对模具进行抽...

一种GaN雪崩探测器p层载流子浓度的测量方法，包括如下步骤：在相同的条件下分布生长i层和n层氮化镓，并用金属电极做好欧姆接触，再利用霍尔效应测试对应的i层和n层的载流子浓度；在没有光照情况下，pin型GaN雪崩探测器器件反向偏压时的电流...

一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著...

一种基于电化学腐蚀的MEMS谐振器频率修调方法，该方法包括将MEMS谐振器与金属电极相连后放入电解质溶液中，其中，金属电极与MEMS谐振器的谐振单元在电解质溶液中形成原电池，使谐振单元发生电化学腐蚀反应形成多孔结构，从而改变谐振器谐振频...

本公开提供了一种无线供能柔性发光系统及其无线能量接收端装置制备方法，其无线供能柔性发光系统包括：无线能量发射端装置，用于将电能转换为可在自由空间中传播的电磁波能量；以及无线能量接收端装置，用于接收无线能量发射端装置发射的电磁波能量，并将...

本公开提供了一种基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器及其制备方法，其基于倾斜光栅的硅基垂直耦合激光器，自下而上顺次包括：SOI(Silicon on SiO

一种光电探测器及其制作方法，该方法包括如下步骤：在衬底上依次生长远场缩减层、间隔层、波导层、吸收层及接触层；刻蚀吸收层及接触层形成探测器波导；刻蚀波导层形成自探测器波导端到光耦合端宽度逐渐减小的楔形波导；刻蚀间隔层及远场缩减层形成下波导...

本发明公开了一种基于角膜接触镜光栅的穿戴式眼压检测装置和检测方法，其装置包括：穿戴式支架，用于安放光源、光电探测器和处理电路，所述光源用于发射光束；角膜接触镜用于反射所述光源发射的光束，包括位于其中央区域的透明无光栅区，以及位于其边缘区...

本公开提供了一种AlGaN基二极管，包括：在衬底上依次外延生长的AlN层、有源层与P型层，其中，所述P型层的边缘区域经向下刻蚀直至AlN层内，形成第一台面，所述第一台面上外延生长有N型层。通过本公开提供的AlGaN基二极管，可以降低器件...

本发明公开了一种场效应晶体管器件，该器件包括：复合钝化层，包括：第一钝化层，设置于场效应晶体管的栅电介质层上，并覆盖该场效应晶体管的源电极、漏电极和栅电极；和第二钝化层，设置于该第一钝化层上；以及，横向场板，设置与栅电极相接触，并置于第...

本公开提供了一种用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法，其用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底，自下而上顺次包括：支撑层和缓冲层，所述缓冲层自下而上顺次包括：至少一个石墨烯缓冲层和至少一个金属膜缓冲层。本公开通过使用石墨烯缓冲层和...

本发明提供了一种在图形衬底生长氮化物薄膜结构及其方法，其方法包括：在图形衬底的凹洞图形区域内生长石墨烯；在生长有石墨烯的图形衬底上生长具有空气孔隙的III族氮化物薄膜；其中，空气孔隙形成于所述图形衬底与所述III族氮化物薄膜之间，所述石...