面内不对称的磁存储单元和制备方法技术

本发明专利技术公开了一种面内不对称的磁存储单元和制备方法；其中，所述面内不对称的磁存储单元包括：衬底；垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。本发明专利技术在没有重金属层或其它强自旋轨道耦合层与垂直磁化层接触的多层膜堆叠中，实现面内电流对垂直磁化层的SOT式定向磁化翻转操作，减少了成本和工艺难度。

In plane asymmetric magnetic memory cell and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
面内不对称的磁存储单元和制备方法
本专利技术涉及信息技术及微电子领域，尤其涉及一种面内不对称的磁存储单元和制备方法。
技术介绍
自旋-轨道力矩(SOT)式电流驱动的磁化翻转可以实现面内电流对垂直磁化层的磁化翻转，具有翻转速度快、功耗低、高稳定性(驱动电流不需要通过磁隧道结的氧化物势垒层)等优势，但是目前此方案需要在磁隧道结堆叠中引入额外的重金属层或其它强自旋轨道耦合层(与磁隧道结的自由垂直磁性层相邻)，而它们往往是价格昂贵的Pt等金属，不但增加了成本，还为现有半导体工艺增加了复杂性(污染真空腔体等)和难度。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术提出了一种面内不对称的磁存储单元和制备方法，以至少部分解决以上所提出的技术问题。(二)技术方案根据本专利技术的一方面，提供一种面内不对称的磁存储单元，包括：衬底；垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。在一些实施例中，所述的面内不对称的磁存储单元还包括：导电保护层，位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面内不对称的磁存储单元，其特征在于，包括：/n衬底；/n垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。/n

【技术特征摘要】
1.一种面内不对称的磁存储单元，其特征在于，包括：
衬底；
垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。


2.根据权利要求1所述的面内不对称的磁存储单元，其特征在于，还包括：导电保护层，位于所述垂直磁化层之上，用于保护所述垂直磁化层。


3.根据权利要求1所述的面内不对称的磁存储单元，其特征在于，利用光照或电子束照射或离子束照射对所述垂直磁化层照射加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性。


4.根据权利要求1所述的面内不对称的磁存储单元，其特征在于，所述垂直磁化层包括遮挡区域和加热区域，所述遮挡区域上覆盖有光刻胶。


5.根据权利要求4所述的面内不对称的磁存储单元，其特征在于，利用光照或电子束照射或离子束照射对所述垂直磁化层的所述加热区域进行局域加热退火使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性。


6.根据权利要求1所述的面内不对称的磁存储单元，包括磁隧穿结结构，其特征在于，在所述垂直磁化层和导电保护层之间还包括：
中间非磁性层，位于所述垂直磁化层之上；
磁性钉扎层，位于所述中间非...

【专利技术属性】
技术研发人员：王开友，曹易，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11