表面光栅半导体激光器及其制作方法技术

一种表面光栅半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、量子阱层、包层及接触层；在接触层上沉积SiN层，并制作SiN光栅掩模；在SiN光栅掩模及裸露的接触层上沉积SiO

Surface grating semiconductor laser and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
表面光栅半导体激光器及其制作方法
本专利技术涉及光电子器件领域，尤其涉及一种表面光栅半导体激光器及其制作方法。
技术介绍
引入分布反馈光栅结构是获得单模工作的半导体激光器的重要手段，这种激光器称为分布反馈(DFB)激光器。以InGaAsP/InP材料体系为例，常规的DFB激光器光栅位于InGaAsP量子阱及InP包层材料之间。为完成器件制作需要两次MOCVD外延生长，即第一次生长中获得量子阱材料，制作光栅后在第二次外延中生长InP包层材料。为简化器件制作流程，人们开发了具有表面光栅结构的DFB激光器。这种器件量子阱及包层材料可以在单次外延中生长完成，之后制作位于器件脊型波导两侧的表面光栅。虽然制作工艺相对简单，但在宽度较小的脊型波导两侧制作光栅对加工精度的要求很高。因此，多数表面光栅激光器采用电子束曝光技术制作，但是这种设备价格昂贵，加工耗时长，不利于器件的批量生产。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种表面光栅半导体激光器及其制作方法，以期至少部分地解决上述提及的技术问题中的至少之一。为了实现上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面光栅半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：/n步骤1：在衬底上依次形成缓冲层、量子阱层、包层及接触层；/n步骤2：在接触层之上形成SiN层，将所述SiN层制作为间隔分布的多个SiN窄条，且相邻SiN窄条之间的接触层裸露，形成SiN光栅掩模；/n步骤3：在所述SiN光栅掩模及裸露的接触层之上形成SiO

【技术特征摘要】
1.一种表面光栅半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：
步骤1：在衬底上依次形成缓冲层、量子阱层、包层及接触层；
步骤2：在接触层之上形成SiN层，将所述SiN层制作为间隔分布的多个SiN窄条，且相邻SiN窄条之间的接触层裸露，形成SiN光栅掩模；
步骤3：在所述SiN光栅掩模及裸露的接触层之上形成SiO2层；
步骤4：在所述SiO2层之上涂覆光刻胶，并形成光刻胶脊型条掩模，所述光刻胶脊型条掩模沿所述多个SiN窄条的分布方向呈条形延伸；
步骤5：在所述光刻胶脊型条掩模的保护下利用干法刻蚀技术去除所述光刻胶脊型条掩模之外的SiO2层及SiN光栅掩模；
步骤6：选择性腐蚀所述光刻胶脊型条掩模下的SiO2层，使所述SiO2层发生侧向腐蚀而形成SiO2脊波导掩模，且在所述SiO2脊波导掩模的两侧裸露出部分的所述SiN光栅掩模；
步骤7：去除光刻胶后，在所述SiO2脊波导掩模及SiN光栅掩模的保护下利用干法刻蚀技术刻蚀所述接触层及包层，完成脊型波导及表面光栅制作；
步骤8：在去除所述SiO2脊波导掩模及SiN光栅掩模后，得到表面光栅半导体激光器。


2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁松，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11