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一种表面光栅半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、量子阱层、包层及接触层；在接触层上沉积SiN层，并制作SiN光栅掩模；在SiN光栅掩模及裸露的接触层上沉积SiO...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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