一种高速DFB激光器制造技术

一种高速DFB激光器，其外延结构包括InP衬底，所述InP衬底上沉积有缓冲层，所述缓冲层的左上方沉积有纵向限制层；所述缓冲层的右上方由下往上依次沉积有光栅层、过度层、有源区下限制层、下波导层、量子阱、上波导层和有源区上限制层；所述纵向限制层与所述有源区上限制层的上端齐平且两者上方沉积一腐蚀阻挡层；所述腐蚀阻挡层的上方依次沉积有联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层。本实用新型专利技术电阻低，调制速率快，高温下晶格匹配好，利于光栅保存，在生长过程中，采用脉冲式气流生长，先生长形核层，然后再生长一定厚度的外延层，有利于提高生长的外延层的质量。

A high speed DFB laser

【技术实现步骤摘要】
一种高速DFB激光器
本技术属于DFB激光器开发
，具体涉及一种高速DFB激光器。
技术介绍
随着5G商用的日益临近，窄线宽、高边模抑制比和调制速率高的动态单模分布反馈激光器(DFB-LD)成为首选光源。DFB采用折射率周期性变化的光栅调制，具有良好的单纵模特性，边模抑制比可达35dB以上，调制速率可达50GHz以上，可以满足5G移动网络高速率/低时延的应用要求。由于5G网络应用于户外，要求能在-40～85℃下均能达到高的调制速率，然而在高温下，激光器的载流子泄露严重，且过量的热的声子易把载流子踢出量子阱区，严重影响高温调制速率。DFB激光器在半导体内部建立起布拉格光栅，依靠光的分布反馈实现单纵模的选择，具有高速、窄线宽及动态单纵模工作特性，且DFB激光器能在更宽的工作温度与工作电流范围内抑制普通FP激光器的模式跳变，极大地改善器件的噪声特性，在5G移动通信领域具有广泛的应用。目前，传统的提高DFB激光器带宽的方法包括：1.采用AlGaInAsMQW代替InGaAsPMQW，提高有源区微分增益；2.增加有源区两侧P型和N型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高速DFB激光器，其特征在于：该激光器的外延结构包括InP衬底(01)，所述InP衬底(01)上沉积有缓冲层(02)，所述缓冲层(02)的左上方沉积有纵向限制层(04)；所述缓冲层(02)的右上方由下往上依次沉积有光栅层(03)、过度层(05)、有源区下限制层(06)、下波导层(07)、量子阱(08)、上波导层(09)和有源区上限制层(10)；所述纵向限制层(04)与所述有源区上限制层(10)的上端齐平且两者上方沉积一腐蚀阻挡层(11)；所述腐蚀阻挡层(11)的上方依次沉积有联接层(12)、第一势垒渐变层(13)、第二势垒渐变层(14)和欧姆接触层(15)；所述光栅层(03)为张应变结...

【技术特征摘要】
1.一种高速DFB激光器，其特征在于：该激光器的外延结构包括InP衬底(01)，所述InP衬底(01)上沉积有缓冲层(02)，所述缓冲层(02)的左上方沉积有纵向限制层(04)；所述缓冲层(02)的右上方由下往上依次沉积有光栅层(03)、过度层(05)、有源区下限制层(06)、下波导层(07)、量子阱(08)、上波导层(09)和有源区上限制层(10)；所述纵向限制层(04)与所述有源区上限制层(10)的上端齐平且两者上方沉积一腐蚀阻挡层(11)；所述腐蚀阻挡层(11)的上方依次沉积有联接层(12)、第一势垒渐变层(13)、第二势垒渐变层(14)和欧姆接触层(15)；所述光栅层(03)为张应变结构且应变量为500-1000ppm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：单智发，张永，姜伟，陈阳华，
申请(专利权)人：全磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35