【技术实现步骤摘要】
一种波长可调谐半导体激光器
本专利技术涉及DFB半导体激光器
，具体为一种波长可调谐半导体激光器。
技术介绍
波长可调谐半导体激光器可广泛应用于光通信，光传感等领域，光通信领域一般要求调谐的波长涵盖C波段30nm的范围，而光传感领域比如可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)，一般只需要波长变化一到几纳米就可以了。传统可调谐激光器比如DBR，SGDBR，DFB阵列等调谐范围比较宽，但是制作工艺复杂，价格昂贵，而且波长的调谐不连续，不适应光传感领域。传统的DBR，SGDBR激光器一般都利用了半导体材料折射率随载流子的注入变化的机理，不过DBR(分布布拉格反射)都是放置在激光器的两端，属于水平堆叠方式，需要多次外延生长或者选择外延生长方法，制作工艺难度很大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种波长可调谐半导体激光器，通过在高度方向叠设制作的方式，只需要一次外延生长即可得到可调谐激光器，简化了制作工艺，降低了成本。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种波长可调谐半导体激光器，...
【技术保护点】
1.一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：包括DFB激光器结构、波长调谐器结构以及隧道结结构，所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构通过所述隧道结结构集成，所述隧道结结构位于所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构之间，所述DFB激光器结构、所述隧道结结构以及所述波长调谐器结构沿高度方向叠设。/n
【技术特征摘要】
1.一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：包括DFB激光器结构、波长调谐器结构以及隧道结结构，所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构通过所述隧道结结构集成，所述隧道结结构位于所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构之间，所述DFB激光器结构、所述隧道结结构以及所述波长调谐器结构沿高度方向叠设。
2.如权利要求1所述的一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：沿高度方向所述DFB激光器结构、所述隧道结结构以及所述波长调谐器结构依次叠设，所述DFB激光器结构制作在衬底上方。
3.如权利要求2所述的一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：沿高度方向所述波长调谐器结构上方依次制作有P型InP光限制层和P型InGaAs接触层。
4.如权利要求1所述的一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：沿高度方向所述波长调谐器结构、所述隧道结结构以及所述DFB激光器结构依次叠设，所述波长调谐器结构制作在衬底上。
5.如权利要求4所述的一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：沿高度方向所述DFB激光器结构上方依次制作有P型InP光限制层和P型I...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志标，
申请(专利权)人：武汉云岭光电有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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