半导体激光器制造技术

本发明专利技术实施例提出一种半导体激光器，属于激光技术领域。该半导体激光器包括：光束耦合结构，光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，相位延迟片位于第一入射方向；至少两个出光单元，出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，激光芯片的出射光束依次经过快轴准直透镜和慢轴准直透镜，并入射至光束耦合结构。出光单元的出射光束分别在快轴方向和慢轴方向进行光束整形处理，并且至少两个出光单元分别沿第一入射方向和第二入射方向入射至偏振耦合器，从而提高偏振耦合器的出射光束的质量。

semiconductor laser

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器
本专利技术实施例涉及激光
，具体地，涉及一种半导体激光器。
技术介绍
随着科学技术的进步，市场对光纤耦合半导体激光器的功率、光束质量和亮度的要求越来越高。目前，可通过耦合多个激光源，以达到提高半导体激光器的光束亮度的技术目的。然而，耦合多个数量的激光源，会使得整体设备的体积增大，并且激光源的耦合排布不合理，会导致出射光束质量差，光斑面积大，光斑的能量密度低等现象。
技术实现思路
本专利技术实施例旨在提出一种半导体激光器，可解决现有技术中多个光源的耦合排布不合理，导致出射光束质量差的技术问题。本专利技术实施例采用以下技术方案：一种半导体激光器，包括：光束耦合结构，所述光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，所述偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，所述相位延迟片位于所述第一入射方向；至少两个出光单元，所述出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，所述激光芯片的出射光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述光束耦合结构，其中，一部分所述出光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：/n光束耦合结构，所述光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，所述偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，所述相位延迟片位于所述第一入射方向；/n至少两个出光单元，所述出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，所述激光芯片的出射光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述光束耦合结构，其中，一部分所述出光单元的出射光束经所述相位延迟片后，沿所述第一入射方向入射至所述偏振耦合器，另一部分所述出光单元的出射光束沿所述第二入射方向入射至所述偏振耦合器。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
光束耦合结构，所述光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，所述偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，所述相位延迟片位于所述第一入射方向；
至少两个出光单元，所述出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，所述激光芯片的出射光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述光束耦合结构，其中，一部分所述出光单元的出射光束经所述相位延迟片后，沿所述第一入射方向入射至所述偏振耦合器，另一部分所述出光单元的出射光束沿所述第二入射方向入射至所述偏振耦合器。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一入射方向和所述第二入射方向分别对应设置有相同数量的所述出光单元的出射光束。


3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括第一反射镜，所述激光芯片发射的光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述第一反射镜，改变光路方向后，入射至所述光束耦合结构。


4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述出光单元包括有合束反射镜、多个所述激光芯片以及与多个所述激光芯片分别一一对应的多个所述快轴准直透镜、多个慢轴准直透镜和多个所述第一反射镜，每一所述激光芯片的发射光束依次经过一个所述快轴准...

【专利技术属性】
技术研发人员：周少丰，刘鹏，陈丕新，
申请(专利权)人：深圳市星汉激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44