基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块制造技术

一种光纤耦合半导体激光器模块，包括：若干个绿光单管半导体激光器、快轴准直镜、慢轴准直镜、小45度反射镜、大45度反射镜、夹具以及耦合聚焦镜；其中，在每一个所述绿光单管半导体激光器发出的激光光束的光路上依次设置有用于对光束进行准直的快轴准直镜和慢轴准直镜、用于使光束彼此成为平行等间距的小45度反射镜和大45度反射镜、用于使所有光束聚焦为耦合光束的耦合透镜，所述耦合光束进入光纤中；所述光纤耦合半导体激光器模块使用的单管为TO封装。本发明专利技术的基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块具有体积小、功率高、易调节等优点。

Green light single tube fiber coupled semiconductor laser module based on to package

【技术实现步骤摘要】
基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块
本专利技术涉及半导体激光器
，特别是涉及一种基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块。
技术介绍
半导体激光器电光转化效率高、体积小、可靠性高，寿命长等优点，因此自问世以来，就备受关注。如今在激光医疗、激光熔覆、激光焊接、激光显示、以及固态激光器泵浦等方面起着越来越重要的作用。但是半导体激光器的发展很不平衡。近红外激光器(波长：9XXnm)发展较为迅速。单个发光单元的输出功率已增强到数十瓦。通过各种组合技术构建的多单管系统可以达到数十千瓦的输出功率。然而，与近红外激光器相比，可见光半导体激光器发展较缓。尤其是直接绿色半导体激光器发光单元，一直难以取得重大突破。直到2009年，Osram(德国)，Nichia(日本)和Sumitomo(日本)成功打破了“500nm极限”并实现了基于InGaN的真正绿色LD(波长532nm)。2013年，Nichia(日本)生产的单管最高输出功率已达到1W。目前市面上能购买到的绿光单管的功率为1w。近几年，工业应用以及固态激光泵浦源增大了对更高功率绿光半导体激光二极管(LD)的需求。为了满足工业需求，可以通过合束的方法来提升输出功率。目前半导体激光器合束的主要方法有相干合束和非相干合束两大类。相干合束又称做阵列锁相，这种合束技术能有效地改善并提高半导体激光阵列输出光的光束质量。但是此技术要求半导体激光阵列的各个发光单元以相同的光谱激射，并且还需要控制单元间的相位关系以保证能够产生一个有益的干涉，因此该技术对环境温度的稳定和仪器的精度要求极高，其工艺复杂并且不容易获得同相超模的大功率稳定输出。非相干合束技术是目前国际上半导体激光器合束的主要方法，主要通过空间合束、波长合束和偏振合束等方法将多路半导体激光器合束成一束，增加输出功率，以达到提高系统亮度的目的。非相干合束技术虽然不能获得近衍射极限的输出光束，但是它没有相位、光谱和频率的要求，调试很容易，操作相对简单。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块，包括：若干个绿光单管半导体激光器、快轴准直镜、慢轴准直镜、小45度反射镜、大45度反射镜、夹具以及耦合聚焦镜；其中，在每一个所述绿光单管半导体激光器发出的激光光束的光路上依次设置有用于对光束进行准直的快轴准直镜和慢轴准直镜、用于使光束彼此成为平行等间距的小45度反射镜和大45度反射镜、用于使所有光束聚焦为耦合光束的耦合透镜，所述耦合光束进入光纤中；所述光纤耦合半导体激光器模块使用的单管为TO封装。其中，所述绿光单管半导体激光器放置在所述夹具中，绿光单管半导体激光器之间以串联的方式进行连接。其中，所述夹具尺寸为长：5.0cm-6.0cm宽：1.3cm-1.5cm高：1.2cm-1.5cm；作为优选，所述夹具的材料采用黄铜，所述绿光单管的后面与夹具紧密连接以增强散热。其中，所述绿光单管半导体激光器沿快轴方向(水平方向)等间距排列，在慢轴方向(竖直方向)等高度放置，且绿光单管半导体激光器出射的光束互不干扰。其中，所述快轴准直镜为非球面镜阵列，非球面镜的后工作距离大于1.0mm，非球面镜的焦距需要满足：2.6mm≤ff≤3.1mm；作为优选，所述慢轴准直镜为双柱面透镜阵列，双柱面透镜的焦距需要满足35.0mm≤fs≤41.0mm。其中，所述小45度反射镜所镀的反射膜的反射率R＞99％；作为优选，所述大45度反射镜所镀的反射膜的反射率R＞99％。其中，所述绿光单管半导体激光器经所述小45度反射镜后，输出一列平行且等间距的组合光束，从而在快轴方向上实现空间合束；光束的功率为三个绿光单管准直后功率的叠加。其中，所述绿光单管半导体激光器经所述小45度反射镜后，再经过所述大45度反射镜反射，此时光束的方向与原方向相比偏转180度，缩小了空间体积。其中，所述耦合透镜的通光孔径值的范围为11.0mm-13.0mm，且数值孔径NA≤0.2。其中，所述绿光单管半导体激光器经所述小45度反射镜和大45度反射镜反射以及经所述耦合透镜聚焦后，聚焦光斑进入芯径为50μm、数值孔径为0.2的光纤之中。基于上述技术方案可知，本专利技术的基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块相对于现有技术至少具有如下有益效果的一部分：(1)本专利技术的基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块具有体积小、功率高、易调节等优点；(2)组合光束经耦合透镜作用后，将组合光束聚焦耦合为较小光束，耦合进入芯径为50μm的光纤中，具有亮度高的优点；(3)本专利技术的激光器模块结构简单，易于操作。附图说明图1是本专利技术一实施例三绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块结构示意图；图2是本专利技术一实施例单管置于铜块夹具中的示意图。上述附图中，附图标记含义如下：1、绿光单管半导体激光器；2、快轴准直镜；3、慢轴准直镜；4、小的45度高度反射镜；5、大的45度高度反射镜；6、耦合聚焦透镜；7、光纤；8、铜块夹具；9、单管的发光尺寸。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。本专利技术利用阶梯棱镜来实现空间合束，即利用反射镜，沿不同的位置进行摆放，将同方向发射的光束进行重排，从而实现空间合束。这种方法可操作性强，调试方便，功率线性增加等优点，但是对于某一参数确定的光纤，空间合束能耦合的最大单管数目是确定的，即通过空间合束来提升功率是有限的，因此需要通过计算来确定可以耦合的最大单管数目，从而实现较大的功率输出。三个单管经过准直之后，分别经过三个45度反射镜反射，三个小45度反射镜沿斜线方向等间距排列。反射后可以得到一组等间距排列的光束，调整三个小反射镜之间的位置，可以改变各光束之间的间距，降低单管之间的“死区”，从而提升空间合束的填充因子。经空间合束后可以耦合进入芯径50μm，NA为0.2的光纤中。本专利技术公开了一种基于TO封装的绿光单管的光纤耦合半导体激光器模块。包括日本日亚公司生产的TO封装的1w连续绿光单管、快轴准直镜、慢轴准直镜、铜块夹具、大反射镜、小反射镜以及耦合透镜。将三个绿光单管半导体激光器同高度，等间距放置在铜块夹具中。每个绿光单管半导体激光器的前面固定快轴准直镜和慢轴准直镜。三绿光单管半导体激光器均发出一列经快慢轴准直后的光束，该光束经所述的小反射镜、大反射镜后输出为一列平行的等间距的组合光束。该组合光束经耦合透镜作用，能将光斑聚焦耦合进光纤之中。由于基于TO封装的绿光单管发光单元与出射窗口之间有1mm的间距，发光单元的快慢轴之间存在固有的像散，因此需要分别设计快轴准直镜和慢轴准直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光纤耦合半导体激光器模块，其特征在于，包括：若干个绿光单管半导体激光器、快轴准直镜、慢轴准直镜、小45度反射镜、大45度反射镜、夹具以及耦合聚焦镜；/n其中，在每一个所述绿光单管半导体激光器发出的激光光束的光路上依次设置有用于对光束进行准直的快轴准直镜和慢轴准直镜、用于使光束彼此成为平行等间距的小45度反射镜和大45度反射镜、用于使所有光束聚焦为耦合光束的耦合透镜，所述耦合光束进入光纤中；/n所述光纤耦合半导体激光器模块使用的单管为TO封装。/n

【技术特征摘要】
1.一种光纤耦合半导体激光器模块，其特征在于，包括：若干个绿光单管半导体激光器、快轴准直镜、慢轴准直镜、小45度反射镜、大45度反射镜、夹具以及耦合聚焦镜；
其中，在每一个所述绿光单管半导体激光器发出的激光光束的光路上依次设置有用于对光束进行准直的快轴准直镜和慢轴准直镜、用于使光束彼此成为平行等间距的小45度反射镜和大45度反射镜、用于使所有光束聚焦为耦合光束的耦合透镜，所述耦合光束进入光纤中；
所述光纤耦合半导体激光器模块使用的单管为TO封装。


2.根据权利要求1所述的光纤耦合半导体激光器模块，其特征在于，所述绿光单管半导体激光器放置在所述夹具中，绿光单管半导体激光器之间以串联的方式进行连接。


3.根据权利要求1所述的光纤耦合半导体激光器模块，其特征在于，所述夹具尺寸为长：5.0cm-6.0cm宽：1.3cm-1.5cm高：1.2cm-1.5cm；
作为优选，所述夹具的材料采用黄铜，所述绿光单管的后面与夹具紧密连接以增强散热。


4.根据权利要求1所述的光纤耦合半导体激光器模块，其特征在于，所述绿光单管半导体激光器沿快轴方向(水平方向)等间距排列，在慢轴方向(竖直方向)等高度放置，且绿光单管半导体激光器出射的光束互不干扰。


5.根据权利要求1所述的光纤耦合半导体激光器模块，其特征在于，所述快轴准直镜为非球面镜阵列，非球面镜的后...

【专利技术属性】
技术研发人员：林学春，娄博杰，赵鹏飞，于海娟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11