一种高速DFB激光器外延结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种高速DFB激光器外延结构，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构在InP过渡层中，插入两组应变的异质结超晶格层，应变的异质结超晶格层兼顾腐蚀截止层的作用；并有利于二次外延生长时及InP原子的迁移，能提高光栅掩埋层的材料质量，提高DFB激光器的性能；该DFB激光器外延结构无腐蚀截止层，激光器电阻低，阈值低，无低频滚降现象，能提高高温带宽，使激光器能工作在‑40~85℃的宽的温度范围。

A high speed DFB laser epitaxial structure

【技术实现步骤摘要】
一种高速DFB激光器外延结构
本技术涉及激光器
，特别涉及一种高速DFB激光器外延结构。
技术介绍
随着5G商用的日益临近，窄线宽、高边模抑制比和调制速率高的动态单模分布反馈激光器(DFB-LD)成为首选光源。DFB激光器在半导体内部建立起布拉格光栅，依靠光的分布反馈实现单纵模的选择，具有高速、窄线宽及动态单纵模工作特性，且DFB激光器能在更宽的工作温度与工作电流范围内抑制普通FP激光器的模式跳变，极大地改善器件的噪声特性，在5G移动通信领域具有广泛的应用。DFB采用折射率周期性变化的光栅调制，具有良好的单纵模特性，边模抑制比可达35dB以上，调制速率可达50GHz以上，可以满足5G移动网络高速率/低时延的应用要求。常用的激光器有脊波导弱折射率限制(RWG)和侧向掩埋异质结限制(BH)两种结构，其中，BH结构采用在有源区的两侧增加P-N-P的反向结限制载流子泄漏，可获得极低阈值的DFB激光器，但是，该方法需要刻蚀掉有源区，再进行侧向掩埋生长，一般采用InGaAsP材料作为有源区。但InGaAsP材料带阶差较小，作为激光器的有源区时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高速DFB激光器外延结构，其特征在于，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。/n

【技术特征摘要】
1.一种高速DFB激光器外延结构，其特征在于，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。


2.根据权利要求1所述的高速DFB激光器外延结构，其特征在于，所述InP衬底（01）上依次沉积有N-InP缓冲层（02），N-AlInAs限制层（03）、非掺杂的折射率渐变的AlGaInAs下波导层（04）、AlGaInAs量子阱（05）、非掺杂的折射率渐变的AlGaInAs上波导层（06）、P型掺杂的AlInAs限制层（07）、P-InP过渡层（08）、InGaAsP光栅层（11）、I...

【专利技术属性】
技术研发人员：单智发，张永，姜伟，陈阳华，
申请(专利权)人：全磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35