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本实用新型提供一种高速DFB激光器外延结构，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内...
该专利属于全磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全磊光电股份有限公司授权不得商用。

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