一种三结太阳电池的制作方法技术

本申请公开了一种三结太阳电池的制作方法，包括：在第一温度下，向沉积设备中通入载气和第一反应源气体，在Ge衬底的上表面内形成底电池的发射区，并在Ge衬底上表面形成底电池的形核层、第一隧穿结层、中电池的背场层、中电池的基区以及中电池的发射区，制成第一半导体结构，第一反应源气体中包括至少采用In‑113同位素形成的MO源；停止通入第一反应源气体，对第一半导体结构进行退火；退火完成后，向沉积设备中通入第二反应源气体和载气，在中电池的发射区远离Ge衬底一侧依次形成中电池的窗口层、第二隧穿结层和顶电池，第二反应源气体中包括至少采用In‑113同位素形成的MO源。本申请能够提高三结太阳电池的抗辐照性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳电池，尤其涉及一种三结太阳电池的制作方法。

技术介绍

1、gainp/gainas/ge三结太阳电池是由gainp顶电池、gainas中电池、ge底电池及两个隧穿结共同组成的多结太阳电池。与传统的si和gaas单结太阳电池相比，其具有结构稳定、可靠性高、寿命长、小型轻质、光电转化效率高、光吸收系数高等优点，目前已成为空间电源系统的核心元器件，被广泛应用于航天器的电力系统。但是，现有gainp/gainas/ge三结太阳电池作为空间电源应用时，抗辐照性能有待提高。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供了一种三结太阳电池的制作方法，以实现提高三结太阳电池抗辐照能力的目的。具体方案如下：

2、本申请提供了一种三结太阳电池的制作方法，包括：

3、将ge衬底放入沉积设备中；

4、在第一温度下，向所述沉积设备中通入载气和第一反应源气体，在所述ge衬底的上表面内形成底电池的发射区，并在所述ge衬底上表面形成底电池的形核层、第一隧穿结层、中电池的背场层、中电池的基区以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三结太阳电池的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述第一反应源气体中包括采用Ga-71和In-113同位素形成的MO源。

3.根据权利要求1所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于， 所述第二反应源气体中包括采用Ga-71和In-113同位素形成的MO源。

4.根据权利要求1所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述载气包括氩气或氮气。

5.根据权利要求4所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述载气中氩气的浓度大于7N。

6.根据权利要求1所述的三结太阳电...

【技术特征摘要】

1.一种三结太阳电池的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述第一反应源气体中包括采用ga-71和in-113同位素形成的mo源。

3.根据权利要求1所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于， 所述第二反应源气体中包括采用ga-71和in-113同位素形成的mo源。

4.根据权利要求1所述的三结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述载气包括氩气或氮气。

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【专利技术属性】
技术研发人员：单智发，张永，张双翔，陈阳华，方天足，李洪雨，
申请(专利权)人：全磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：