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本申请公开了一种三结太阳电池的制作方法，包括：在第一温度下，向沉积设备中通入载气和第一反应源气体，在Ge衬底的上表面内形成底电池的发射区，并在Ge衬底上表面形成底电池的形核层、第一隧穿结层、中电池的背场层、中电池的基区以及中电池的发射区，制...
该专利属于全磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全磊光电股份有限公司授权不得商用。

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