一种高性能DFB激光器外延结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种高性能DFB激光器外延结构，InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，非掺杂P‑InP过渡层中插入第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构调制速率大，温度特性好，可靠性好。

A high performance DFB laser epitaxial structure

【技术实现步骤摘要】
一种高性能DFB激光器外延结构
本技术涉及DFB激光器
，特别涉及一种高性能DFB激光器外延结构。
技术介绍
随着5G商用的日益临近，窄线宽、高边模抑制比和调制速率高的动态单模分布反馈激光器(DFB-LD)成为首选光源。DFB采用折射率周期性变化的光栅调制，具有良好的单纵模特性，边模抑制比可达35dB以上，调制速率可达50GHz以上，可以满足5G移动网络高速率/低时延的应用要求。但由于5G网络应用于户外，要求能在-40～85℃下均能达到高的调制速率，然而在高温下，激光器的载流子侧向泄露严重，且过量的热的声子易把载流子踢出量子阱区，这样会严重影响高温调制速率。为了解决DFB激光器电流侧向泄漏严重的问题，本技术提出一种DFB激光器外延结构，减小DFB激光器载流子的侧向泄漏，同时，改善DFB激光器的跳模现象，获得高性能的DFB激光器。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种能减小DFB激光器载流子的侧向泄漏，改善DFB激光器的跳模现象，获得高性能的DFB激光器外延结构。为实现上述目的及其他相关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能DFB激光器外延结构，其特征在于：包括InP衬底（01），所述InP衬底（01）上从下至上依次沉积有N-InP缓冲层（02），N-AlInAs限制层（03）、非掺杂AlGaInAs下波导层（04）、非掺杂AlGaInAs量子阱（05）、非掺杂AlGaInAs上波导层（06）、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层（07）、非掺杂P-InP过渡层（08）、非掺杂InGaAsP光栅层（11）、非掺杂InP联接层（12）、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层（13）、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层（14）及非掺杂InGaAs 欧姆接触层（15），所述非掺杂P-InP过渡层（08）中插入有...

【技术特征摘要】
1.一种高性能DFB激光器外延结构，其特征在于：包括InP衬底（01），所述InP衬底（01）上从下至上依次沉积有N-InP缓冲层（02），N-AlInAs限制层（03）、非掺杂AlGaInAs下波导层（04）、非掺杂AlGaInAs量子阱（05）、非掺杂AlGaInAs上波导层（06）、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层（07）、非掺杂P-InP过渡层（08）、非掺杂InGaAsP光栅层（11）、非掺杂InP联接层（12）、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层（13）、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层（14）及非掺杂InGaAs欧姆接触层（15），所述非掺杂P-InP过渡层（08）中...

【专利技术属性】
技术研发人员：单智发，张永，姜伟，陈阳华，
申请(专利权)人：全磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35