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本实用新型提供一种高性能DFB激光器外延结构，InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs...
该专利属于全磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全磊光电股份有限公司授权不得商用。

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