一种激光器结构及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提出一种激光器结构及其制备方法和应用，所述激光器结构包括：衬底；外延层，设置在所述衬底上，所述外延层包括层叠的下包层、有源层、上包层和欧姆接触层；脊型波导，形成在所述上包层上；多个周期调制光栅，形成在所述上包层上，并位于所述脊型波导的两侧；其中，所述多个周期调制光栅与所述有源层之间具有预设距离，所述预设距离为50～200nm。本发明专利技术提出的激光器制作工艺简单、边模抑制比高、调制速度快，具有优良的动态单模特性。

A laser structure and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种激光器结构及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体激光器
，特别涉及一种激光器结构及其制备方法和应用。
技术介绍
在半导体激光其
中，分布反馈(DFB)半导体激光器具有优异的微分增益、动态单模特性和较大的调制带宽，在近红外光通信，3D生物识别等领域具有广泛应用目前，对于激光器结构中包括的光栅结构为相移光栅，其易出现由于空间烧孔效应，限制了光通信激光器的调制速度，即随着电流增加，阈值增益差减小，主模和第一边模的增益差变小，开始出现模式竞争，甚至跳模而无法实现动态单模，以致难以确保所述激光器具有稳定的动态单模特性，从而影响激光器的使用范围。此外，目前主要通过光栅掩埋结构和光栅深刻蚀结构制备DFB激光器。对于光栅掩埋结构，在制造时需要两步外延工艺，在外延生长到有源区附近时需要停止，然后进行光栅刻蚀，然后进行二次外延，制备流程复杂繁琐，不仅需要严格的清洁工艺，且对激光器的高效率生产造成困扰。目前光栅深刻蚀结构的制备难度极大，对掩膜质量要求高，性能的稳定性和一致性难以保证。
技术实现思路
<br>鉴于上述现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光器结构，其特征在于，所述激光器结构包括：/n衬底；/n外延层，设置在所述衬底上，所述外延层包括层叠的下包层、有源层、上包层和欧姆接触层；/n脊型波导，形成在所述上包层上；/n多个周期调制光栅，形成在所述上包层上，并位于所述脊型波导的两侧；/n其中，所述多个周期调制光栅与所述有源层之间具有预设距离，所述预设距离为50～200nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种激光器结构，其特征在于，所述激光器结构包括：
衬底；
外延层，设置在所述衬底上，所述外延层包括层叠的下包层、有源层、上包层和欧姆接触层；
脊型波导，形成在所述上包层上；
多个周期调制光栅，形成在所述上包层上，并位于所述脊型波导的两侧；
其中，所述多个周期调制光栅与所述有源层之间具有预设距离，所述预设距离为50～200nm。


2.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述激光器结构的输出波长为1260～1600nm。


3.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述激光器结构的共振腔的长度为0.3～3mm。


4.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述周期调制光栅的周期为150～250nm。


5.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述周期调制光栅的高度为30～350nm。


6.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述周期调制光栅的占空比为0.1～0.9。


7.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述周期调制光栅包括多个光栅区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：李齐柱，毛明明，周特，张鹏飞，徐真真，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32