一种含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法，所述含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器由下至上依次包括：N型电极、衬底、下限制层、分步掺杂下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层和P型电极；其中，所述分步掺杂...

本发明公开了一种相册处理方法，应用于终端技术领域，包括：当接收到处理相册的指令时，获取相册内存储的所有图片，根据用户选择的相册处理模式，对所有图片进行处理，该相册处理模式包括重复图片筛选模式、模糊图片筛选模式、人脸姿态分类模式、人物性别...

一种基于平衡探测器的光学数模转换装置，包括：激光发射器，用于发射激光作为光载波；光分路器，与激光发射器相连，用于将输入的光载波信号分成两路进行输出，且两路之间有固定的功率比；光电调制器，用于将输入的数字信号调制到光载波上，输出已调的光载...

一种实现调制效率提高的Z切LNOI电光调制器及其应用，该Z切LNOI电光调制器包括衬底，其底部设有槽；绝缘层，其设置在衬底上；波导芯层，设置在绝缘层上，切向为Z切；上包层，设置在波导芯层上，用于和波导芯层形成折射率差从而限制光场的传输，...

一种基于LNOI的光波导端面耦合结构及其应用，该光波导端面耦合结构包括衬底；绝缘层，其设置在衬底上；第一波导芯层结构，包括第一波导芯层固定宽度区和第一波导芯层反向楔形区；第二波导芯层结构，包括第二波导芯层固定宽度区和第二波导芯层反向楔形...

一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所...

本公开提供了一种正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法，其中正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列自下而上顺次包括：第二电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层；所述保护层上设置有多个电极窗口，每个所述电极窗口上设置...

本发明公开了一种高雪崩耐量碳化硅JBS结构及制备方法，结构主要包括阴极电极，N+型衬底，N‑型外延层，P型注入区和阳极电极，其中P型注入区分两类，一类为条状注入区，另一类为锥状注入区。两类P型注入是通过在掩膜层上进行两次光刻刻蚀出深浅不...

本申请提供了一种图像分类方法，包括：S1，获取图像的训练集和测试集；S2，对分类模型中的卷积模块设置显著性弱化模块以构建网络模型；S3，将训练集分多组输入所述网络模型，每训练一组训练集获得特征图，根据特征图获得显著性特征区域，增强并截取...

本发明公开了一种可适用于高能激光的连续衰光装置，此装置主要包括一个介质膜透镜、一个偏折补偿透镜和一个热沉；其中，介质膜透镜和偏折补偿透镜均能够围绕各自中心轴旋转，它们的旋转角度相同，但方向相反；热沉能够围绕介质膜透镜的中心轴旋转，旋转角...

本发明公开了一种用于低频探测的分布式光纤传感系统，包括：环形连接的脉冲光产生模块、掺铒光纤放大器、第一耦合器、第一迈克尔逊干涉仪、第一光电探测器和数据采集处理反馈卡；环形器；相位信号采集模块，包括第二迈克尔逊干涉仪，其一端口连接至第二光...

本公开提供了一种衬底托，用于支撑衬底，在衬底上进行材料生长，其中，所述衬底托包括：基座和支撑装置；所述基座为环状结构；所述支撑装置第一端与所述基座一体相连；所述支撑装置第二端为弧面结构，且与所述衬底下表面相切。本公开中通过减小支撑装置与...

一种陶瓷基板，用于封装紫外LED芯片(6)，包括：凹槽形陶瓷外壳，其凹槽底部设有：第一电极(1)，第二电极(2)，以及第三电极(3)，之间相互隔离；凹槽(5)，用于封装稳压管芯片(7)，凹槽(5)包括第四电极(51)以及第五电极(52)...

一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化硅层上，半导体层...

本公开提供了一种抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法，包括：步骤1：选择一GaN衬底；步骤2：在GaN衬底正面制备第一临时保护层；步骤3：在GaN衬底背面制备第二临时保护层；步骤4：去除步骤2中在GaN衬底正面制备的第一临时保护...

一种双边自适应图像可视化增强方法，包括以下步骤：对目标采集水下选通图像，其中图像的亮度低和对比度低；对原始图像进行灰度直方图统计；对灰度直方图选择像素数非零的灰度级建立新的灰度直方图集合，进行多邻域中值滤波，去除噪声影响；对非零灰度直方...

一种实现开关消光比提高的电光强度调制器及其应用，该电光强度调制器包括输入光波导；第一耦合器；第一对相位调制臂，其两臂的侧边设有第一对行波电极；多模干涉结构，其包含两个输入光波导、一个多模干涉区和两个输出光波导，用于将经过第一对相位调制臂...

一种LNOI基脊型光波导端面耦合结构及其应用，该LNOI基脊型光波导端面耦合结构包括衬底；绝缘层；脊型波导区，包括：第一波导芯层平板区、第一波导芯层脊型区、第二波导芯层平板区和第二波导芯层脊型区；以及第三波导芯层。本发明的结构中通过使第...

一种低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器，该p型接触层为重掺杂Mg的p型GaN或p型AlGaN，Mg掺杂浓度为1×10

本公开提供了一种改善p型氮化镓欧姆的方法，包括：步骤1：在衬底上生长低温氮化镓缓冲层；步骤2：在低温氮化镓缓冲层上生长高温非故意掺杂氮化镓层；步骤3：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长中度掺镁p型氮化镓；步骤4：在中度掺镁p型氮化镓上生长重...