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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
电化学传感器及其制备方法、离子浓度检测系统技术方案
一种电化学传感器及其制备方法、离子浓度检测系统。电化学传感器包括:传感芯片,传感芯片包括信号转换电路,以及与信号转换电路相连的离子敏感场效应晶体管与信号输出电路,其中,信号转换电路用于将待测溶液中的目标离子的浓度变化转化为电信号,信号输...
一种检测溶液中多种成分的电化学传感器及其制备方法技术
一种检测溶液中多种成分的电化学传感器及其制备方法。电化学传感器包括传感芯片,传感芯片包括行列选择电路、敏感阵列、信号转换电路以及信号输出电路,敏感阵列包括多个离子敏感场效应晶体管,行列选择电路用于选择一个离子敏感场效应晶体管与信号输出电...
表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用技术
一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用,该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底;一缓冲层;一n型GaN层;一InGaN/GaN多量子阱有源区;‑介质隔离层;‑金属颗粒层;‑介质盖层;一电子阻挡层;以及一p型Ga...
一种神经元计算模块制造技术
一种神经元计算模块,用于图像的卷积或全连接计算,模块包括:多个缓存单元(100),用于缓存图像数据和卷积核计算的权值数据,并将图像数据和权值数据按预设规则依次发送至MAC单元(200);多个MAC单元(200),其与多个缓存单元(100...
一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法技术
一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法,包括:将衬底(10)放置于制备设备中,在衬底表面生长半导体纳米线(11),以半导体纳米线(11)为内核,在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(12),在窄禁带半...
电极部分覆盖脊条的DFB激光器制造技术
本公开提供一种电极部分覆盖脊条的DFB激光器,包括:衬底层;下限制层,位于衬底层上;下波导层,位于下限制层上;有源层,位于下波导层上;上波导层,位于有源层上;上限制层,位于上波导层上,其内设置有光栅,沿上限制层设置有一纵向脊波导;欧姆接...
有源腔与无源腔交替结构的DFB激光器制造技术
本公开提供一种有源腔与无源腔交替结构的DFB激光器,包括:衬底层;下限制层,位于衬底层上;下波导层,位于下限制层上;有源层,位于下波导层上;上波导层,位于有源层上;上限制层,位于上波导层上,其内设置有光栅结构;沿上限制层设置有一纵向脊波...
光学神经网络卷积层芯片、卷积计算方法和电子设备技术
一种光学神经网络卷积层芯片,应用于人工智能领域,包括依次连接的第一耦合器、第一分束器、多个光子计算模块和卷积求和模块;该第一耦合器,用于将接收到的光信号耦合至第一分束器中;该第一分束器包括多个输出端口,该分束器用于将耦合后的光信号进行分...
一种相位可调的虚部抑制下变频装置及方法制造方法及图纸
一种相位可调的虚部抑制下变频装置及方法,装置包括激光器(1)、光耦合器(2)、第一微波源(3)、第二微波源(4)、双驱动马赫曾德调制器(5)、电频梳产生器(6)、相位调制器(7)、第一光滤波器(8)、光放大器(9)、偏振控制器(10)、...
非分光红外气体传感器制造技术
本发明公开了一种非分光红外气体传感器,包括:多孔腔体,包括腔面和与腔面连接的两端,其中,腔面含有多个通气孔,两端具有通孔;红外光发射部件,其上封装有准直透镜,以使发射光经过该准直透镜后平行出射;红外光接收部件,包括两个探测器,该两个探测...
激光器及其制作方法技术
一种激光器及其制作方法,其激光器包括:衬底和双台脊波导;其中,双台脊波导,包括下台脊波导和上台脊波导;其中,下台脊波导,形成于所述衬底上,由下至上依次包括光斑放大层、第一间隔层、光栅层、第二间隔层和有源层;上台脊波导,形成于所述下台脊波...
可调谐激光器及其制作方法技术
一种可调谐激光器及其制作方法,所述可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且贴合的增益区和分布式布拉格反射区;其中,增益区和分布式布拉格反射区,分别为双台脊波导结构,包括下台脊波导和上台脊波导;所述增益区的下台脊波导和分布式布拉格反射区的下...
提高LED倒装芯片光提取效率的方法技术
一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法,包括以下步骤:提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底;采用Al靶材磁控溅射技术,在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下,在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜,形成AlN模板;将制得的AlN模板放入...
具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件制造技术
一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构,其特征在于,所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴;所述p型层中含有p型掺杂剂,且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂,降低外延层中Mg的平均...
高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法技术
一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法,包括以下步骤:提供耐高温衬底;采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜,厚度分别为0.1微米至1微米,形成低质量双面AlN模板;将得到的双面沉积的低质量AlN模板放入高温设备中...
高质量低应力AlN图形模板的制备方法技术
一种AlN图形模板的制备方法,包括以下步骤:提供耐高温衬底;在所述衬底上沉积一层AlN薄膜,形成低质量AlN模板;在所述低质量AlN模板上形成微、纳米级图案,制作成低质量AlN图形模板;将得到的所述低质量AlN图形模板放入高温退火设备中...
一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法技术
本发明提供了一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法。该制备方法包括在第一衬底上制备立式半导体纳米片;在半导体纳米片上原位外延超导体,得到外延了超导体的半导体纳米片;将外延了超导体的半导体纳米片转移至第二衬底上;利用微纳加工,将半导...
一种可见光通信系统的检测方法、设置方法及检测装置制造方法及图纸
一种可见光通信系统的检测方法、设置方法及检测装置,用于检测可见光通信系统在预设调制度下所对应的误码率,其中,可见光通信系统包括发光二极管(5),检测方法包括:S1,计算在预设调制度下,发光二极管(5)的第一电流值;S2,根据预设调制度对...
具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件制造技术
一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件;其中,具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括:磁性自由层,所述磁性自由层包括:垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域;其中,所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构;当电流流经...
一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法技术
一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法,该氮化物薄膜结构包括:一非晶衬底;一石墨烯缓冲层;一纳米结构支撑层;一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括:提供一非晶衬底;将石墨烯转移到非晶衬底上;利用化学气相沉积技术在石墨烯...
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