中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 一种多频段双啁啾微波信号产生及抗光纤色散传输系统,包括:光源、微波源、90°电耦合器、波形发生器、三通道直流电压源、马赫曾德尔调制器、掺铒光纤放大器、单模光纤、偏振控制器、起偏器和光电探测器。本发明利用双平行双偏振马赫曾德尔调制器实现两...
  • 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法,其中,该激光器包括:在氮化镓衬底上依次生长的n型限制层、复合下波导层、量子阱有源区层、上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层;以及P电极,制作于所述p型欧姆接触层上;N电极,制作...
  • 本实用新型提供了一种基于电容补偿的电容电压转换电路,包括:电荷积分模块,包括第一运算放大器、反馈电容以及第三开关;采样保持模块,包括第三电容、第四电容、第五电容、第二运算放大器以及多个开关;第五电容的一端与第三电容的另一端连接,其另一端...
  • 本实用新型提供了一种热蒸发源炉,包括:整体式全包围热屏蔽筒、坩埚、加热装置、加热装置底板和温度测量装置,整体式全包围热屏蔽筒底部与源炉法兰的上法兰面相连;整体式全包围热屏蔽筒顶部与坩埚密封相连;加热装置、加热装置底板和温度测量装置均设置...
  • 一种基于室内LED可见光通信的加密电子投票选举系统,用于各种室内投票和选举活动;包括中央控制设备,其直接连接控制会议室天花板上LED照明装置的所有LED小灯;LED照明装置,用于把中央控制设备传来的投票信息调制成光信号发射,并获取所有终...
  • 本发明提供一种衍射环结构II类超晶格红外探测器,包括至下而上的衬底层(7)、缓冲层(6)、刻蚀终止层(5)、p区层(4)、i区吸收层(3)、n区层(2)、衍射环层(1);衍射环层(1)与p区层(4)之间形成第一台面;p区层(4)与刻蚀终...
  • 本公开提供一种MOS器件的制备方法和MOS器件,该MOS器件包括宽禁带半导体基片和SOI基片,所述宽禁带半导体基片为碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石中的任意一种,该方法包括:在宽禁带半导体基片的上表面注入硼或氮原子,形成表面掺杂层;在表面...
  • 本发明公开了一种多路遥控器装置,包括:多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具,其中,多路遥控器,用于向遥控接收控制板发送切换信号,以控制不同电极线路的切换;遥控接收控制板,设置于电路板上,用于接收多路...
  • 本发明公开了一种透明柔性宽带微波低散射结构及柔性蒙皮,低散射结构包括上部导电结构层、介质层和下部导电结构层,上部导电结构层包括多个导电结构单元和上部衬底,多个导电结构单元周期性排布在上部衬底上,上部衬底为柔性有机物;下部导电结构层包括导...
  • 本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法,包括:光子权重模块,用于实现多个权重的编码,并基于多个权重的编码,调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值,实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算;光子偏置模块,...
  • 本发明公开了一种集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法,其结构包括:衬底;本征锗薄膜,位于所述衬底上;掺杂锗薄膜层,位于本征锗薄膜上;其中,所述本征锗薄膜和掺杂锗薄膜层组成的外延层上刻蚀有:第一锗波导、光分束器、第二锗波导、第三锗波...
  • 本发明公开了一种适用于光通信发光器件的在线综合测试系统和方法,其系统包括:LED/LD负载电路板、电参数发生及测试装置、交流小信号发生装置、温度控制及探测装置、光信号探测装置、LED/LD调制特性测试系统中央监控及处理计算机。本发明不仅...
  • 本公开提供一种多光源钙离子荧光检测方法,包括:将待检测对象目标脑区转染钙离子荧光蛋白或注射钙离子荧光指示剂;将与光纤粘合的线性阵列微型LED光源作为探针植入到待检测对象目标脑区;驱动所述线性阵列微型LED光源探针中的LED依次循环点亮,...
  • 一种单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法,其中,激光器阵列结构包括形成于衬底上,脊型的阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区;阵列直条区,形成呈阵列结构的多个解离腔;分布布拉格反射区,与阵列直条区结合形成呈阵列结构的多个完...
  • 本发明公开了一种多波长激光器阵列及其制作方法,其中,该多波长激光器阵列,包括至少三个激光器设置于同一衬底上,其中,每个激光器包括:在所述衬底上依次生长的下脊波导层、中间有源层和上脊波导层;其中,至少三个激光器的中间有源层的有源材料的发光...
  • 本发明公开了一种半导体光子器件及其制作方法,其中,该半导体光子器件包括:衬底;以及在衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层;其中,中间层包括顺次连接的激光器有源材料区和第一模斑转换器波导材料区,所述第一模斑转换器波导材料区的带隙...
  • 本发明公开了一种电吸收调制激光器及其制作方法,其中,该电吸收调制激光器包括:衬底;以及在衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层;其中,中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区...
  • 一种中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构,该中红外量子级联激光器包括衬底;有源波导结构,其设置在衬底上,包括第一接触层,其设置在衬底上;第一波导层,其设置在第一接触层上;有源区层单元,其设置在第一波导层上;第二波导层,其设...
  • 本发明提供一种波导耦合的硅基光电探测器,包括:SOI衬底(100),包括至下而上的底部硅材料层(130)、二氧化硅填埋层(120)和顶层硅(110),其中,顶层硅(110)上形成有波导层(111),波导层(111)上形成有掺杂区;二氧化...
  • 本公开提供了一种基于多视图特征融合及联合贝叶斯识别模型的手指静脉识别方法和装置,该方法包括:利用手指静脉图像获取手指轮廓图像和手指静脉感兴趣区域图像;将所述手指轮廓图像输入第一分支卷积神经网络,提取手指轮廓特征;将所述手指静脉感兴趣区域...