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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法技术
本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED,自下而上依次包括:衬底、AlN模板层、n型Al
一种多电极的高速光电探测器及其制备方法技术
本公开提供了一种多电极的高速光电探测器,包括:衬底;N台面,其位于衬底上,N台面表面一侧设置N电极;I台面,其位于N台面上,且I台面的水平宽度小于N台面的水平宽度,I台面表面一侧设置I电极;P台面,其位于I台面上,且P台面的水平宽度小于...
一种高阶神经元模型的构建方法技术
本发明提供了一种高阶神经元模型的构建方法,包括:S1,对训练样本进行特征提取,得到训练样本对应的特征表示;S2,对特征表示进行聚类,得到训练样本对应的聚类簇;S3,采用拓扑结构作为覆盖单元对每一聚类簇进行学习,得到高阶神经元模型。该方法...
光器件宽带频率响应测量方法及装置制造方法及图纸
本发明公开了一种光器件宽带频率响应测量方法及装置,该装置包括:光信号产生模块,产生整形光信号;信号处理模块,接收该整形光信号,对其进行移频调制、分路延时和二次相位滤波的信号处理;信号探测模块,接收经过信号处理的光信号,对其进行转化和探测...
贴片LED封装光源及制备方法技术
本公开提供一种贴片LED封装光源及制备方法,包括:线路基板,其形状为边长不超过十毫米的矩形;多个贴片LED封装管,倒装焊接在所述线路基板上;以及封装层,覆于所述线路基板及贴片LED封装管上;所述多个贴片LED封装管成矩形阵列排布,每一列...
一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法技术
本发明提供一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法,包括:S1,在高阻硅晶圆(1)上刻蚀通孔;S2,热氧处理高阻硅晶圆(1),以制备出隔离层(2);S3,刻蚀低阻硅晶圆(3),制备可动结构区(4)和欧姆接触区(5);S4,热压...
一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法技术
本发明提供一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法,包括:S1,在SOI晶圆的顶硅层(1)制作欧姆接触区(7);S2,采用刻蚀出凹槽的玻璃片(8)与顶硅层(1)阳极键合;S3,将欧姆接触区(7)作为刻蚀阻挡层,并在SOI...
一种基于混频器的微波信号产生装置制造方法及图纸
本公开提供了一种基于混频器的微波信号产生装置,包括:微波本振源、混频器、第一滤波器、激光器、电光调制器、光信号延时器、光探测器、第二滤波器、放大器及无源功分器,该装置的混频器在对闭合的光电反馈回路自激振荡产生的微波信号进行变频的同时,将...
一种用于木材加工的紫外超快激光器制造技术
本发明公开了一种用于木材加工的紫外超快激光器,包括皮秒种子源、激光放大器和激光频率变换模块,皮秒种子源产生的激光经过激光放大器的放大和激光频率变换模块的频率变换后得到和频紫外皮秒激光;皮秒种子源产生的皮秒激光经过激光放大器的放大作用后得...
多梁结构组合的射频微机电系统谐振器及应用技术方案
一种多梁结构组合的射频微机电系统谐振器及应用,该多梁结构组合的射频微机电系统谐振器包括机电转换梁单元,其为所述谐振器输入端和输出端的换能组件;能量传输梁,其为所述机电转换梁单元的连接结构;电极,其为施加驱动激励;介质层,为机电转换梁单元...
U型柔性电极植入系统及其制备方法技术方案
一种U型柔性电极植入系统,所述U型柔性电极植入系统包括:U型柔性电极,用于提取神经元的放电活动,电极结构方便与辅助植入工具进行组装;V型辅助植入工具,能够方便快速的与所述U型柔性电极进行组装固定,将柔性电极送入目标脑区。本发明所提出的柔...
钙钛矿太阳电池PN结及其制备方法技术
本发明提供一种钙钛矿太阳电池PN结及其制备方法,方法包括:将BX
一种面发射激光器及其制备方法技术
本公开提供了一种面发射激光器,其特征在于,包括:衬底;多层结构,设置在衬底上,其包括多个低折射率材料层、多个高折射率材料层及有源层,多个低折射率材料层及多个高折射率材料层交替生长形成周期性或准周期性的布拉格反射镜结构,有源层位于最后生长...
一种快速调焦收发一体天线及快速调焦方法技术
本公开提供了一种快速调焦收发一体天线,应用于激光语音获取系统,包括:成像镜头,用于发射和接收语音探测激光,液态镜头,与所述成像镜头构成镜头组,设于所述成像镜头射出所述语音探测激光的一侧,用于通过调焦实现所述语音探测激光的聚焦,液态镜头控...
一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件及制备方法技术
本发明提供一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件,包括:功率器件元胞单元(100),栅氧化层(230)、栅电极接触(210)形成于元胞单元(100)上部,复合内绝缘层(220)形成于栅氧化层(230)和栅电极接触(210)的表面;复合内绝...
双波导分布式反馈半导体激光器及激光产生方法技术
本公开提供了一种双波导分布式反馈半导体激光器,包括:N面电极层(1)、衬底层(2)、缓冲层(3)、下波导层(4)、多量子阱有源层(5)、上波导层(6)、光栅层(7)、刻蚀自停止层(8)、包层(9)、欧姆接触层(10)、P面电极层(11
一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置制造方法及图纸
本公开提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,包括:光频梳发生器、第一波分复用器、调制器阵列、天线阵列、微波本振源、直流源、N:1光耦合器、色散器、光功率放大器、第二波分复用器及光电探测器阵列。该装置在保证降低装置结构复杂度的情况...
单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法技术
本公开提供了一种单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器,该激光器的量子阱级联区将具有不同发光波长量子阱级联串联,使该有源区的发光波长的增益谱线可以覆盖较大的波长范围,通过分布反馈式采样光栅对不同发光波长的光进行调谐,并利用光束耦合区的S形...
可见光自供能通信系统及基于其的通信方法技术方案
本发明提供了一种可见光自供能通信系统及基于其的通信方法,该系统包括:发送端,该发送端包括依次连接的数据处理电路、信号调制电路和信号输出电路;以及接收端,该接收端包括依次连接的信号收集电路、数据通信电路和无源处理器;其中,信号输出电路输出...
光电振荡器制造技术
一种光电振荡器,包括:半导体激光器,用于产生光信号;三端口光环形器,包括第一端口、第二端口及第三端口,第二端口连接半导体激光器,用于接收光信号;第一单模光纤,连接第三端口,用于对光信号进行延时;第一光耦合器,用于将延时后的光信号分为束第...
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