本公开提供一种波导耦合型单载流子探测器，包括：衬底；波导区，包括：波导下包层，形成于所述衬底之上；以及耦合波导层，形成于所述波导下包层之上，用于与外部光源进行低损耗耦合；以及探测器区，包括：光学匹配层，形成于所述耦合波导层之上，用于对光...

本公开提供一种相干探测器芯片，包括：衬底，为芯片基底，包括第一衬底区、第二衬底区，以及位于第一衬底区和第二衬底区之间的第三衬底区；无源区域，位于第一衬底区上，自下而上依次包括：第一下包层、第一波导芯层、以及上包层；无源区域用于形成光学混...

本发明提供一种多波长的半导体激光器结构及制备方法，包括：衬底、传输层、电极，其中传输层蚀刻有环形谐振腔、法布里

一种用于单光子干涉可见度的测量装置及方法，装置包括：激光器(1)、光斩波器(2)、可调光衰减器(3)、待测AMZI(4)、门控式单光子探测器(5)、计算机(9)、信号发生器(6)、光功率计(8)，以及相位调节系统(7)。利用该方法可以确...

本公开提供了一种多波长硅基III

一种基于3D视觉技术的气瓶容积检测方法及系统，该检测方法包括：将受试气瓶放置于视场范围内，对受试气瓶进行信息采集；将采集到的信息处理后得到信息一；判断信息一是否正确，若错误则返回调整参数后重新开始；若信息一正确则进行水压试验，获取加压状...

一种半导体激光器，包括：依次连接的第一单模波导(1)、第一锥形波导(2)、多模干涉波导(3)、第二锥形波导(4)、第二单模波导(5)、第三锥形波导(6)以及第一多模干涉反射镜(7)；其中，第一单模波导(1)的端面(10)与第一多模干涉反...

本公开提供一种微波源装置，包括：光学频率梳单元，产生包含不同波长光信号光载波信号；波分解复用器单元，与所述光学频率梳相连，所述波分解复用器对光载波信号中不同波长光信号进行分割，生成光载波分割信号；阵列光开关单元，与波分解复用器相连，用于...

本公开提供了一种光束缩束装置，包括：N个单管半导体激光器，用于产生N个激光束，其中，N

本公开提供了一种半导体激光器相干阵列，其特征在于，包括：多模干涉区，包括多级一分二的多模干涉耦合结构及多个弯曲波导，不同级之间的多模干涉耦合结构通过弯曲波导连接，其中，多级一分二的多模干涉耦合结构用于产生多个相位相干的光支路；反射区，用...

本实用新型提供了一种衬底托，用于支撑衬底，在衬底上进行材料生长，其中，所述衬底托包括：基座和支撑装置；所述基座为环状结构；所述支撑装置第一端与所述基座一体相连；所述支撑装置第二端为弧面结构，且与所述衬底下表面相切。本实用新型中通过减小支...

本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算；光子偏置模块，...

一种蝶形超材料光学传感器，包括：衬底(1)；超材料阵列层(2)，所述超材料阵列层(2)生长于衬底(1)的表面；所述超材料阵列层(2)的构成成分全是金属，或金属与二维材料的组合；所述超材料阵列层(2)的结构是阵列排布的多个周期性单元，所述...

本发明提供一种激光功率可控的小型化VCSEL激光器，包括：VCSEL器件(6)，直接裸管，或与过渡支架(15)结合，形成VCSEL组件；光电探测器芯片(8)与控制电路芯片(7)组成集成芯片(12)，集成芯片(12)用于探测VCSEL器件...

本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所...

本发明公开了一种精密3D打印装置及方法，该装置包括龙门架、第一移动平台、第二移动平台、第一激光3D打印装置和第二激光3D打印装置，其中，第一激光3D打印装置通过设置在龙门架上的第一滑杆和第二滑杆在龙门架下方作业空间移动，第二激光3D打印...

一种超快激光连续裂片方法，包括以下步骤：将超快激光光源的激光从材料抛光的上表面聚焦到距离底部一定厚度处进行扫描加工，扫描间隔控制可变，形成改质层；将所述改质层以下的部分通过冷裂，从改质层处裂开并从待冷裂材料主体剥离下来；将待冷裂材料下移...

一种光电平衡探测器及其接收模块和应用，该光电平衡探测器包括接收前端、连接过渡块和差分放大器芯片电处理后端；其中，所述接收前端包括两个独立的光电平衡探测器芯片，通过光纤与外界光信号连接，并通过光电平衡探测器芯片实现光到电的转换；所述连接过...

本发明提供一种基于半导体二维电子气进行弱磁场空间成像的方法，包括：S1，分子束外延生长二维电子气半导体异质结；S2，微纳加工二维电子气半导体异质结，得到特征尺寸在10nm～1mm范围内的分立霍尔器件；S3，集成分立霍尔器件，得到线阵或面...

本发明提供一种铁磁性砷化镉单晶薄膜的制备方法，包括：S1，在第一温度下，在脱氧后的半绝缘GaAs(111)B衬底上分子束外延生长GaAs缓冲层；S2，降低第一温度至第二温度，在GaAs缓冲层上分子束外延一层磁性元素掺杂的砷化镉单晶薄膜；...