本发明公开了一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。制备方法包括：步骤A，清洗玻璃衬底；步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；步骤D，使用氢氟酸溶液对所...

一种用于量子密钥分发的解码芯片，包括：输入波导，用于接收传输待解码的光信号；定向耦合器，包括第一定向耦合器、第二定向耦合器以及第三定向耦合器，所述第一定向耦合器用于将输入光分成两束光，第二定向耦合器及第三定向耦合器用于实现光量子干涉；相...

一种调制格式转换装置，包括：输入系统，设置有两个输入端，用于输入两个设定强度比例的光信号，并将该两个光信号转变为射频信号，同时将该两个射频信号相减、放大后分为多路输出；格式转换系统，与输入系统相连接，用于将输入系统所输出的射频信号进行格...

一种具有非对称In组分InGaN波导层的氮化镓基激光器，包括：GaN同质衬底；n型GaN同质外延层，制作在所述GaN同质衬底上；n型AlGaN限制层，制作在所述n型GaN同质外延层上；InGaN下波导层，制作在所述n型AlGaN限制层上...

本发明公开了一种激光发射装置，用于通过直接倍频的方式产生780nm激光，包括：半导体激光器，其输出激光的波长是1560nm，且其输出激光的线宽小于10kHz；双凹面透镜倍频谐振腔，包括基于凹面相向设置的第一凹面透镜和第二凹面透镜，其中，...

一种用于薄板激光熔覆的工装装置及熔覆方法，包括设计制造带有热交换通道的工装底板，工装底板可以是一体或者分体装配的。将待激光熔覆薄板置于工装底板上，将压板压在薄板上，压板通过螺栓与工装底板相连，对薄板实施夹紧。激光熔覆过程为：将粉末通过送...

一种脑电电极头戴，包括：一电极固定板，为一球缺状曲面面板，根据受试者头部外形3D打印制备，其上配置有多个电极装配孔，用于安放电极；一头带，装配有所述电极固定板，配置为套设于受试者头部。该头戴操作简便，穿戴牢固且适用于长期测试的场景。

本发明公开了一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO

一种提高晶硅表层掺磷、掺硼激活率的热扩散方法，包括以下步骤：在热扩散过程中，通过降低扩入晶硅表层时的磷杂质原子或硼杂质原子的浓度至与所述晶硅表层所需的激活掺杂浓度一致，从而提高掺杂激活率；其中，所述掺杂激活率定义为在同一面积内的替位掺杂...

一种谐振结构及其制作方法，结构包括：支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；谐振体(2)介于第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，谐振体(2)沿平行于第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，支撑梁(1)...

一种基于加权字典学习的温度场重构方法，包括：初始化原始样本和字典，基于原始样本、预设的温度阈值及权重调整系数，计算与各温度场对应的第一权重矩阵，基于第一权重矩阵，将各温度场及字典进行矩阵变换计算，获得原始样本的稀疏表示，基于稀疏表示、原...

一种基于模式滤波器的硅基磁光隔离器，包括模式滤波器以及法拉第旋光器，模式滤波器采用嵌入透明导电氧化物层的条形硅波导结构，法拉第旋光器采用条形磁光材料结构；正向传输的横电场模的输入信号从模式滤波器输入，在通过模式滤波区之后，进入法拉第旋光...

一种用于数字PCR多芯片独立实验的导热装置，包括导热器；芯片凹槽，其设置在导热器上，用于放置芯片；以及透光上盖板。本实用新型的导热器上表面错落设置的芯片凹槽单元结构，使整个芯片槽内可单独放置一个芯片也可同时放置多个芯片单元，即同时进行多...

一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗...

本发明提供一种使用偏压成核半导体膜生长装置及制备方法，包括：衬底；气源，用于向衬底表面提供反应气体；微波源，用于向衬底表面提供微波，以使反应气体电离；天线单元阵列，包括多个具有独立电压的天线单元，用于向衬底表面多个位置独立放电，以使电离...

一种高稳定超窄单通带微波光子滤波器，包括：激光器(1)、第一光耦合器(2)、第一相位调制器(3)、第一光隔离器(4)、第一偏振控制器(5)、布里渊动态光栅(6)、第二偏振控制器(7)、偏振分束器(8)、光电探测器(9)和矢量网络分析仪(...

一种用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法。包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型GaN层，位于所述缓冲层上；n型AlGaN电子阻挡层，位于所述n型GaN层上；InGaN/GaN多量子阱有源区，位于所述n型AlGaN电子阻挡...

一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极...

一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明...

本公开提供一种基于DBR的量子点谐振腔器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的上；电流扩散层，位于所述缓冲层上；多孔DBR层，位于所述n‑GaN电流扩散层上，作为谐振腔底部反射镜；相位调整层，位于所述多孔DBR层上，用于调整谐振腔内部电...