谐振结构及其制作方法技术

一种谐振结构及其制作方法，结构包括：支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；谐振体(2)介于第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，谐振体(2)沿平行于第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，支撑梁(1)沿椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿谐振体(2)，谐振结构形成的驻波波长等于椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸。该谐振结构能量被约束在谐振器内部，无法沿支撑梁向外耗散，保证了该谐振结构的品质因数，并且谐振结构的特征频率由谐振体横截面的短对称轴尺寸决定，便于在单个衬底上同时制备不同谐振频率的谐振结构。

【技术实现步骤摘要】
谐振结构及其制作方法
本专利技术涉及微机电器件设计与制造
，尤其涉及一种谐振结构及其制作方法。
技术介绍
射频微机电系统(RFMEMS)谐振器件包含谐振器和滤波器两类，谐振器用在振荡电路中为通信系统提供低相位噪声的本振信号；滤波器用于通信前端，可以抑制干扰信号，有效提高频率资源的利用率，在射频收发、频率合成以及混频放大等射频电路中起到非常重要的作用。滤波器通常由低输入阻抗的谐振器连接组成。目前，应用在移动通信领域的滤波器基本都采用压电材料制备，主要有声表面滤波器(SAW)和薄膜体声波谐振器(FBAR)两类。SAW的优点在于制备简单、成本低，工作频率依靠叉指电极距离定义，可以在一个衬底上制备多个频率的谐振器。但SAW滤波器有局限性，高于约1GHz时，其选择性降低；在约2.5GHz时，其使用仅限于对性能要求不高的应用；SAW器件易受温度变化的影响，温度升高时，其基片材料的刚度趋于变小、声速也降低。FBAR的优点在于工作频率和品质因数高，制备的滤波器具有更低的插入损耗和更高的带外抑制能力。缺点在于其工作频率由AlN薄膜厚度决定，所以很难本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振结构，其特征在于，包括：/n支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；/n所述谐振体(2)介于所述第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，所述谐振体(2)沿平行于所述第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，所述支撑梁(1)沿所述椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿所述谐振体(2)，所述谐振结构形成的驻波波长等于所述椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸。/n

【技术特征摘要】
1.一种谐振结构，其特征在于，包括：
支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；
所述谐振体(2)介于所述第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，所述谐振体(2)沿平行于所述第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，所述支撑梁(1)沿所述椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿所述谐振体(2)，所述谐振结构形成的驻波波长等于所述椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸。


2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的长对称轴与短对称轴的尺寸大小比值为偶数。


3.根据权利要求1或2所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)与所述谐振体(2)相连于所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的短对称轴的两端。


4.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)沿所述谐振体(2)椭圆或者菱形横截面的短对称轴方向的长度为所述短对称轴尺寸的整数倍，沿所述谐振体(2)椭圆或者菱形横截面的长对称轴方向的宽度小于所述短对称轴尺寸的一半。


5.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述支撑梁(1)沿所述谐振体(2)的椭圆或者菱形横截面的长对称轴对称。


6.根据权利要求4所述的谐振结构，其特征在于，所述谐振体(2)沿垂直于所述椭圆或者菱形横...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，司朝伟，韩国威，杨富华，宁瑾，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11