谐振器组件及其制造方法、半导体器件、电子设备技术

本发明专利技术涉及一种谐振器组件及其制造方法，该谐振器组件包括体声波谐振器和声表面波谐振器，其中：所述两个谐振器的电极结构位于一个基底的同一侧。本发明专利技术还涉及一种具有该谐振器组件的滤波器和一种具有该滤波器或谐振器组件的电子设备。

Resonator assembly and manufacturing method thereof, semiconductor device and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
谐振器组件及其制造方法、半导体器件、电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种谐振器组件及其制造方法，一种半导体器件，以及一种具有该半导体器件或谐振器组件的电子设备。
技术介绍
电子器件作为电子设备的基本元素，被广泛应用于我们生活中的方方面面。不但目前常用的移动电话、汽车、家电设备等地方充满了各式各样的电子器件，而且未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类。其中，体声波谐振器及声表面波谐振器在滤波器等电子器件中得到广泛应用。在现有体声波或声表面波滤波器设计或者产品中，都是在不同的晶圆或基底上加工而成，最后再集成在一起，但随着射频前端小型化趋势越来越严峻，以此种方式布置谐振器的滤波器结构不利于滤波器尺寸的进一步缩小。另一方面，体声波滤波器和声表面波滤波器分别具有各自的优势，比如，体声波滤波器在高频性能表现更好，而声表面波滤波器在低频性能表现更好，因此，在射频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振器组件，包括：/n体声波谐振器；和/n声表面波谐振器，/n其中：/n所述两个谐振器的电极结构位于一个基底的同一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种谐振器组件，包括：
体声波谐振器；和
声表面波谐振器，
其中：
所述两个谐振器的电极结构位于一个基底的同一侧。


2.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述两个谐振器共用同一压电层；
在体声波谐振器中，所述压电层的上侧和下侧分别设置有顶电极和底电极；
在声表面波谐振器中，所述压电层的上侧设置有电极结构。


3.根据权利要求2所述的组件，其中：
所述组件包括设置在所述压电层与所述基底之间的声学镜结构。


4.根据权利要求3所述的组件，其中：
所述声学镜结构包括声学镜空腔和/或布拉格反射层。


5.根据权利要求4所述的组件，其中：
所述组件包括设置在基底上的布拉格反射层，所述体声波谐振器的底电极与所述布拉格反射层之间设置有声学镜空腔，在所述声表面波谐振器的区域，所述压电层与布拉格反射层相接；或者
所述组件包括设置在基底上的布拉格反射层，在所述体声波谐振器的区域，所述布拉格反射层设置在底电极与基底之间而形成所述体声波谐振器的声学镜，在所述声表面波谐振器的区域，所述压电层与布拉格反射层之间设置有声学镜空腔。


6.根据权利要求4所述的组件，其中：
所述布拉格反射层同时作为体声波谐振器与声表面波谐振器的声学镜。


7.根据权利要求6所述的组件，其中：
在所述声表面波谐振器的区域的布拉格反射层的层数与在所述体声波谐振器的区域的布拉格反射层的层数相同，且布拉格反射层在声表面波谐振器区域和体声波谐振器区中至少一层的厚度相同；或者
在所述声表面波谐振器的区域的布拉格反射层的层数与在所述体声波谐振器的区域的布拉格反射层的层数不同。


8.根据权利要求2-7中任一项所述的组件，其中：
所述压电层为单晶压电层。


9.根据权利要求1所述的组件，其中：
所述体声波谐振器的压电层和所述声表面波谐振器的压电层在所述组件的厚度方向上下间隔开且一个为上压电层、另一个为下压电层，所述体声波谐振器和声表面波谐振器中的一个为在组件的厚度方向处于上方的上谐振器、另一个为处于下方的下谐振器。


10.根据权利要求9所述的组件，其中：
上谐振器和下谐振器在横向方向上彼此间隔开布置；
在下谐振器的区域，至少所述上压电层被移除以露出下谐振器的在下压电层的上表面的电极结构。


11.根据权利要求10所述的组件，其中：
所述上谐振器为声表面波谐振器，所述下谐振器为体声波谐振器。


12.根据权利要求11所述的组件，其中：
所述上压电层为单晶压电层，所述单晶压电层与下压电层之间设置有平坦隔离层和/或布拉格反射层；
在所述上谐振器区域，所述上压电层的上表面设置有上谐振器的电极结构；且
在下谐振器的区域，所述上压电层和所述平坦隔离层和/或布拉格反射层被移除以露出下谐振器的在下压电层的上表面的电极结构。


13.根据权利要求10所述的组件，其中：
所述上谐振器为体声波谐振器，所述下谐振器为声表面波谐振器。


14.根据权利要求9所述的组件，其中：
上谐振器和下谐振器在所述组件的厚度方向上叠置，且上谐振器和下谐振器之间设置有间隔层。


15.根据权利要求14所述的组件，其中：
作为下谐振器的声表面波谐振器设置在作为上谐振器的体声波谐振器与基底之间，且下压电层与上压电层之间限定有空间，所述间隔层围绕所述空间设置，且下谐振器在下压电层的上侧的电极结构位于所述空间内，所述空间形成所述上谐振器的声学镜空腔。


16.根据权利要求14所述的组件，其中：
作为下谐振器的体声波谐振器布置在作为上谐振器的声表面波谐振器与基底之间，且上压电层与下谐振器的顶电极之间限定有空间，所述间隔层围绕所述空间设置，下谐振器的顶电极位于所述空间内，且所述上谐振器的电极在厚度方向的投影位于所述空间内。


17.根据权利要求9所述的组件，其中：
所述上压电层和/或下压电层为单晶压电层。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，张孟伦，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12