高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池技术

本发明专利技术公开了一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。制备方法包括：步骤A，清洗玻璃衬底；步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。通过本公开的制备方法得到的高雾度玻璃衬底具有均匀分布微米量级尺寸形状的粗糙形貌，所制备的高雾度玻璃衬底上粗糙形貌基本单元的尖锐程度可调控。

【技术实现步骤摘要】
高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池
本公开涉及光电子领域，尤其涉及一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。
技术介绍
薄膜硅太阳电池具有轻的重量、可加工成柔性组件和大面积的发电面板等优势，成为第一代晶硅太阳电池的有力竞争者。目前，日本产业技术综合研究所报道实现14％的光电转化效率的非晶硅/微晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池，刷新薄膜硅太阳电池的最高光电转换效率。但是，与晶硅太阳电池相比，薄膜太阳电池依然存在短路电流密度小的问题。这是由于它们的光吸收层厚度通常只具有几百纳米，导致入射光一次通过时无法被充分吸收。为了增加薄膜硅太阳电池的光吸收，背反射层或接触、织构化或粗糙化的表面、介质光栅、光子晶体和等离激元纳米颗粒等多种结构被提出用来控制光路和增强薄膜硅太阳电池内的陷光效应。这些结构基本都是通过形成粗糙的表面或界面产生对入射光的散射，使其偏离垂直入射方向而增加在吸收层内光路径，增加其被吸收的概率。采用低压化学气相沉积法制备的氟掺杂氧化锡(SnO2:F)和硼掺杂氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜作为透明电极，利用其在薄膜生长过程中自然形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高雾度玻璃衬底的制备方法，包括：/n步骤A，清洗玻璃衬底；/n步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；/n步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；/n步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及/n步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。/n

【技术特征摘要】
1.一种高雾度玻璃衬底的制备方法，包括：
步骤A，清洗玻璃衬底；
步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；
步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；
步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及
步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。


2.根据权利要求1所述的制备方法，所述步骤A包括：
子步骤A1，将所述玻璃衬底浸泡在丙酮溶剂中清洗；
子步骤A2，将所述子步骤A1得到的玻璃衬底浸泡在无水酒精溶剂中清洗；
子步骤A3，将所述子步骤A2得到的玻璃衬底浸泡在超纯水中清洗；以及
子步骤A4，将所述子步骤A3得到的玻璃衬底烘干或吹干。


3.根据权利要求2所述的制备方法，所述步骤A中，使用超声波清洗机将所述玻璃衬底分别在丙酮溶剂、无水酒精溶剂和超纯水中清洗10分钟。


4.根据权利要求1所述的制备方法，所述步骤B包括：
子步骤B1，将所述步骤A中后得到的玻璃衬底放入反应离子刻蚀腔中；
子步骤B2，关闭反应离子刻蚀腔门，抽真空至所述反应离子刻蚀腔内的气压低于10-2Pa；
子步骤B3，对所述玻璃衬底进行反应离子刻蚀处理。


5....

【专利技术属性】
技术研发人员：孟磊，杨涛，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11