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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
基于周期性弹性波反射结构的静电式谐振器制造技术
本公开提供了一种基于周期性弹性波反射结构的静电式谐振器,包括:谐振单元;电极,与谐振单元电连接;介质层,设于谐振单元与电极之间;支撑结构,支撑结构的一端与谐振单元相连,支撑结构的另一端固定在基底上;基底包括至少一个层状结构;周期性弹性波...
一种电容器及其制备方法技术
本发明提供了一种电容器,包括:衬底(1),其上形成有第一电极(2)、第二电极(3)及薄膜(4);薄膜(4)包括两部分薄膜,分别与第一电极(2)及第二电极(3)连接,两部分薄膜形成一对叉指电极(5),一对叉指电极(5)之间填充有电解液(6...
一种马赫曾德尔干涉仪及多通道粗波分复用器制造技术
本公开提供的一种马赫曾德尔干涉仪,包括:两根输入波导,用于输入宽光谱光信号;第一多模干涉耦合器,用于将宽光谱光信号分为两个分量光束;两根相移波导,用于使两个分量光束分别在两根相移波导中传播,并产生特定的相位差;第二多模干涉耦合器,用于使...
保密通信装置及其保密通信方法制造方法及图纸
本公开提供一种保密通信装置,包括:第一通信模块,用于产生并携带保密信号的调制激光;第二通信模块,用于产生携带宽带随机信号的宽带光信号;第二通信模块,还用于将宽带光信号分为携带宽带随机信号的第一光信号和第二光信号,向处理模块传输第一光信号...
一种光发射芯片的制作方法和光发射芯片技术
本公开提供了一种光发射芯片的制作方法,包括:在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层,腐蚀掉该磷化铟衬底任意一端的预设面积的二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层,得...
一种基于图像识别的报靶方法及装置制造方法及图纸
本发明提供一种基于图像识别的报靶方法及装置,所述方法包括:对于打靶视频中的任一帧视频图像,通过多帧差分算法确定所述视频图像上有无新增弹孔,并在所述视频图像上有新增弹孔的情况下,获取所述新增弹孔的位置;根据所述新增弹孔的位置,以及预先确定...
半导体激光器电源驱动装置制造方法及图纸
本发明提供了一种半导体激光器电源驱动装置,包括:整流模块,包括整流输入端和整流输出端,其中,整流输入端用于与电网连接,整流模块用于将来自电网的第一交流电转换为第一直流电;调制模块,包括调制输入端和调制输出端,其中,调制输入端与整流输出端...
图像处理方法及应用其的高速智能相机技术
一种图像处理方法及应用其的高速智能相机,图像处理方法包括:图像传感器将采集的光信号转换为原始图像数据,并将原始图像数据传输至FPGA;FPGA对原始图像数据进行预处理,生成预处理图像数据;FPGA将预处理图像数据传输至图像处理芯片;以及...
多腔室半导体薄膜外延装置制造方法及图纸
一种多腔室半导体薄膜外延装置,包括:多个生长腔室和一个机械臂;多个生长腔室至少包括一个石墨烯生长腔室、至少一个半导体材料生长腔室;其中,石墨烯生长腔室用于在衬底上生长石墨烯薄膜,包括等离子体处理模块,用于产生等离子气体;至少一个半导体材...
基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法技术
本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法,该制备方法包括:在衬底上制备GaN缓冲层;在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层;在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层;在所述InGaN预应...
基于多条件时间序列的农机监测数据清洗方法与装置制造方法及图纸
本发明提供了一种基于多条件时间序列的监测数据清洗方法,所述方法包括:获取监测车辆在当前地块内的作业工况数据和图像抓拍数据;对所述作业工况数据进行预处理,将数据划分为训练集和测试集;将工况时间序列输入多条件的时序模型中进行特征提取,获得多...
双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用技术
本发明公开了一种双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用,双边耦合超对称半导体激光器阵列包括:主阵列,由一个或者多个相连的第一波导单元构成,至少一个第一波导单元有电流注入并提供增益促使基超模激射;第一副阵列和第二副阵列,第一副阵...
一种可配置的FFT架构系统技术方案
本公开提供一种可配置的FFT硬件架构系统,包括:顶层控制模块,用于产生控制信号;多输入通道存储器模块,用于在控制信号的作用下,将输入的输入数据写入及存储,并能够将多输入通道存储器模块存储的数据进行分配形成存储器位置数据;蝶形运算模块,用...
一种铌酸锂横模光隔离器制造技术
本发明提供一种铌酸锂横模光隔离器,包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4),第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端,第一干涉臂(1)、第二干涉臂(...
安全通信系统及信息传输方法技术方案
一种安全通信系统及信息传输方法,系统包括:至少两个宿主端,每一宿主端设有依次连接的可编程串行信息收发器、碎片化处理模块及可编程串行收发器,其中,可编程串行收发器用于对宿主信号进行串并转换,碎片化处理模块用于对宿主信号进行逐比特随机粉碎处...
紫外LED封装结构及其封装方法技术
本发明公开了一种紫外LED封装结构及其封装方法,其中,该封装结构,包括:立体陶瓷基板,立体陶瓷基板包含有陶瓷基板和开有粘接槽的围坝;紫外LED芯片,紫外LED芯片倒装在陶瓷基板上;密封胶,涂于围坝上的粘接槽内;石英透镜,石英透镜的边缘嵌...
利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法技术
本发明提供了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法,包括:将清洗后的硅衬底和金属锆靶材置于预设真空条件下的生长室中;在预设温度下对硅衬底表面进行烘烤和反溅射干式清洗预处理;对金属锆靶材表面进行射频磁控溅射预处理;利用射频磁控溅射...
一种基于多层谐振结构的超宽带可调型太赫兹完美吸收器制造技术
本发明提供一种基于多层谐振结构的超宽带可调型太赫兹完美吸收器,至上而下包括:相变结构层(1),由至少一个环形组件组成,每个环形组件包括至少两个环形结构,用于对太赫兹电磁波进行强损耗吸收;介质层(2),用于进一步吸收太赫兹电磁波;金属层(...
应用于循环神经网络的激活函数的可重构电路制造技术
本发明提供了一种用于循环神经网络的激活函数的可重构电路,包括原码转换电路、一比特移位器、二比特移位器、第一选择器、第一反相器、误差补偿单元、乘法器单元、第二选择器、第二反相器和镜像电路;本发明采用重构复用的方式,以同一套电路结构,实现两...
一种具有波长调谐功能的铌酸锂光隔离器制造技术
本发明提供一种具有波长调谐功能的铌酸锂光隔离器,包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4),第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端,第一干涉臂(1)...
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