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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
带背景光模拟的激光目标模拟器制造技术
本发明提供了一种激光目标模拟器,包括背景光模拟器和目标回波光模拟器;其中,通过背景光模拟器和目标回波光模拟器分别产生背景光和目标回波光,所述背景光和目标回波光的产生和强度控制是独立的,以便产生包含不同比例背景光信号和目标回波光信号的复合...
功率可变模拟激光源的功率衰减标定方法及系统技术方案
一种功率可变模拟激光源的功率衰减标定方法及系统,标定方法包括:获取标定值及第一调节系数;迭代地执行以下至少一次:根据第一调节系数,待标定模拟激光源输出一档位的激光功率的激光信号;采集激光信号,生成反馈信号;判断反馈信号与标定值是否满足预...
光电子集成器件的光互联方法技术
本发明提供了一种光电子集成器件的光互联方法,包括:制作光子引线;其中,所述光子引线所包括纤芯、应力区和内包层;将激光器和光调制器通过所述光子引线相连接,将激光器和保偏光纤、光调制器和保偏光纤通过所述光子引线相连接,建立保偏光学通道,实现...
镜频抑制混频传输方法及装置制造方法及图纸
本公开提供一种镜频抑制混频传输方法及装置,该装置包括:远程端,包括:宽谱光产生模块,用于产生光谱整形的线偏宽谱光信号;射频调制模块,与宽谱光产生模块连接,利用接收的待混频射频信号对线偏宽谱光信号进行调制,得到由偏振态正交且延时不同的射频...
一种混合模数转换器系统技术方案
本发明公开了一种混合模数转换器系统,包括:第一转换电路,用于根据第一差分信号和第二差分信号的电压差值调整参考电压的大小,并输出第一转换结果;第二转换电路,与第一转换电路的输出端连接,用于将第一转换电路的残余差分信号转换为差分电压,并将差...
一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法技术
本发明提供一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法,包括:S1,选用液封直拉法生长的锑化镓单晶片;S2,将锑化镓单晶片有序、间隔地竖直放置在石英样品架上,将石英样品架水平放置在石英管底部;S3,将石英管抽真空,用氢氧焰烧结封口;S4,将封...
可重构微波光子混频装置制造方法及图纸
本公开提供一种可重构微波光子混频装置,包括:激光器单元,由激光器和第一偏振控制器组成,用于产生偏振方向可调的线偏光信号;偏振复用双平行马赫曾德调制器单元,用于实现待混频信号及本振信号对所述线偏光信号的电光调制,在两个正交的偏振态上均获得...
信号产生装置及方法制造方法及图纸
本公开提供一种信号产生装置及方法,应用于通信技术领域,包括:光源,用于产生光载波,两个微波源,每个微波源均用于输出连续单频微波信号,两个脉冲信号产生器,每个脉冲信号产生器均用于产生电学编码脉冲信号,两通道直流电压源,每个通道均输出稳定的...
一种具有拓扑性质的条形半导体激光器阵列及其应用制造技术
本发明公开了一种具有拓扑性质的条形半导体激光器阵列,包括中心波导单元以及位于中心波导单元两侧的波导单元组阵列;其中,中心波导单元用于注入电流提供增益促使基超模激射;中心波导单元两侧的波导单元组阵列具有不同的拓扑性质,使得在中心波导处形成...
用于等离子体化学气相的样品支架制造技术
本发明提供一种用于等离子体化学气相的样品支架,包括:水冷铜台(8)和导电电极(7),所述水冷铜台(8)中间开孔以容纳所述导电电极(7);依次设置于所述水冷铜台(8)的绝缘层(5)、第五导电支架(11)、第三导电支架(4)、第四导电支架(...
多频段任意相位编码信号产生装置及方法制造方法及图纸
一种多频段任意相位编码信号产生装置,包括:光源,用于输出光载波;第一光电调制模块,用于将微波信号加载到光载波上,通过调节加载于第一光电调制模块上的多个直流偏置电压,产生多阶单边带光信号;第二光电调制模块,用于将编码信号加载到光载波上,通...
神经网络优化方法及装置制造方法及图纸
本发明提供一种神经网络优化方法及装置,方法包括:将预设随机噪声数据输入至预设神经网络模型,获取目标超越方程的解;根据预设神经网络模型的目标损失函数及目标超越方程的解,获取预设神经网络模型的损失值,并根据损失值基于反向传播算法更新预设神经...
肖像生成方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种肖像生成方法、装置、电子设备及存储介质。其中,肖像生成方法,包括:对人脸图像进行语义分割,根据设定的线条生成量化规则确定每个人脸区域对应的线条提取参数,并从人脸图像中提取线条得到人脸线条图;根据线条生成量化规则确定...
具有光开关作用的多段光放大耦合器制造技术
本公开提供一种具有光开关作用的多段光放大耦合器,包括:衬底层;下限制层,设置于所述衬底层上;下波导层,设置于所述下限制层上;有源层,设置于所述下波导层上,用于产生光增益;上波导层,设置于所述有源层上;上限制层,设置于所述上波导层上,所述...
噪声整形逐次逼近模数转换器及噪声整形方法技术
本公开提出了一种噪声整形逐次逼近模数转换器及噪声整形方法,该噪声整形逐次逼近模数转换器包括第一栅压自举采样开关、第二栅压自举采样开关、VCO比较器、SAR数字逻辑电、第一电荷重分配型电容阵列、第二电荷重分配型电容阵列、无源环路滤波器及全...
基于模态重分布的MEMS谐振器及其调节方法技术
本公开提供了一种基于模态重分布的MEMS谐振器,包括:衬底;支撑结构,一端固定在所述衬底上;谐振单元,设有调整装置,所述谐振单元与支撑结构的另一端相连;电极,与所述谐振单元电连接,所述电极设置在所述谐振单元的侧面、上表面和/或下表面。本...
一种分支型腔半导体可调谐激光器及制备方法技术
本发明提供一种分支型腔半导体可调谐激光器,包括:第一光栅(1),具有第一周期;至少一个第二光栅(5)和第三光栅(7),分别具有第二周期和第三周期,其位于第一光栅(1)一端的分支上;多模干涉器(4),用于连接第一光栅(1)和至少一个第二光...
增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管及其制备方法技术
一种增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管,该硅雪崩光电二极管以硅雪崩光电二极管作为基底,钙钛矿材料均匀分布在所述硅雪崩光电二极管表面。利用钙钛矿材料的高量子产率,将钙钛矿材料均匀分布在硅雪崩二极管表面,通过设计,使钙钛矿材料与硅雪崩光电...
三端人工光学突触及其制备方法技术
本发明提供一种三端人工光学突触,包括:栅极(2);依次叠设于所述栅极表面的离子存储层(3);离子导体层(4)和半导体沟道层(5);源极(6)和漏极(7),分别位于所述半导体沟道层(5)的表面两端;其中,所述半导体沟道层(5)采用与所述离...
一种新型温度传感器高低温测试装置制造方法及图纸
本发明公开了一种新型温度传感器高低温测试装置,包括:箱体,用于改变箱体内部的测试温度并放置测试模块;测试模块,可拆卸设置于箱体内侧,用于进行手动测试或自动化测试;显示模块,位于箱体上,用于显示信息和接收输入数据;分拣模块,用于放置和转移...
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