一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法技术

本发明专利技术提供一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，包括：S1，选用液封直拉法生长的锑化镓单晶片；S2，将锑化镓单晶片有序、间隔地竖直放置在石英样品架上，将石英样品架水平放置在石英管底部；S3，将石英管抽真空，用氢氧焰烧结封口；S4，将封口的石英管放入水平退火炉中退火，退火的升温过程至少包括两段不同的升温速率，退火的降温过程至少包括两段不同的降温速率，升温过程和降温过程之间还包括恒温阶段。本发明专利技术通过对液封直拉法生长的锑化镓单晶片进行退火处理，能够有效消除锑化镓单晶片内存在的一部分残余应力，提高残余应力沿单晶片分布的均匀性，有效改善锑化镓单晶片的翘曲、裂纹等问题，从而提高单晶片的质量。从而提高单晶片的质量。从而提高单晶片的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法。

技术介绍

[0002]作为一种新型衬底材料，锑化镓(GaSb)的晶格常数为可以与多种III
‑
V族三元及四元化合物半导体材料的晶格相匹配，而且得益于MBE或MOCVD外延技术的发展，可以实现对材料生长原子级别的精确控制，因此基于GaSb基系的III
‑
V族超晶格材料成为研究热点，如InAs/GaSb，InAs/InAsSb，InGaAsSb/A1GaAsSb等，特别地，利用MBE法在GaSb单晶衬底上外延生长的II类Ga(In)Sb/InAs基的SLS(应变层超晶格)红外探测器已经受到极大地关注。GaSb基红外探测器在军用和民用领域具有广阔的市场，可以应用于夜视仪、导弹尾焰识别、火灾检测系统、气体检测系统等。
[0003]锑化镓体单晶最常用的生长方法是液封直拉法(Liquid Encapsulation Czochralski method，LEC)，利用该方法目前已经能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，包括：S1，选用液封直拉法生长的锑化镓单晶片；S2，将所述锑化镓单晶片有序、间隔地竖直放置在石英样品架上，将所述石英样品架水平放置在石英管底部；S3，将所述石英管抽真空，用氢氧焰烧结封口；S4，将封口的石英管放入水平退火炉中退火，所述退火的升温过程至少包括两段不同的升温速率，所述退火的降温过程至少包括两段不同的降温速率，所述升温过程和降温过程之间还包括恒温阶段。2.根据权利要求1所述的去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，其特征在于，所述S1还包括：将所述液封直拉法生长的锑化镓单晶片进行切割，经过机械化学抛光工艺得到光亮平整表面，再经腐蚀液清洗后，用氮气吹干封装。3.根据权利要求1所述的去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，其特征在于，所述S1中锑化镓单晶片为(100)晶向，包括非掺p型，低掺碲n型和高掺碲n型。4.根据权利要求3所述的去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，其特征在于，所述非掺p型锑化镓单晶片的载流子浓度为1
×
10
17
～3
×
10
17
cm
‑3，低掺碲n型锑化镓单晶片的载流子浓度小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周媛，赵有文，谢辉，杨俊，沈桂英，刘京明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：