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本发明提供一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法，包括：S1，选用液封直拉法生长的锑化镓单晶片；S2，将锑化镓单晶片有序、间隔地竖直放置在石英样品架上，将石英样品架水平放置在石英管底部；S3，将石英管抽真空，用氢氧焰烧结封口；S4，将封口的...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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