一种光发射芯片的制作方法和光发射芯片技术

本公开提供了一种光发射芯片的制作方法，包括：在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层，腐蚀掉该磷化铟衬底任意一端的预设面积的二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层，得到无源区，在上光限制层上靠近无源区的一端制作预设长度的光栅，得到光栅层，在该光栅层和无源区上生长电接触层，在该电接触层上刻蚀出与无源区长度相同的多模干涉反射镜，在该电接触层上制作分布反馈激光器和电吸收调制器。本公开可以使芯片结构更加紧凑，性能更加稳定，提高芯片制作地成品率。地成品率。地成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种光发射芯片的制作方法和光发射芯片


[0001]本公开涉及光发射芯片的制作方法，特别涉及基于电吸收调制器(Electrical absorption modulator，EAM)、分布反馈激光器(Distributed feedback laser，DFB
‑
Laser)与多模干涉反射镜(Multimode interference reflector，MIR)的单片集成光发射芯片的制作方法和光发射芯片。

技术介绍

[0002]随着移动数据网络、云计算等技术的飞速发展，数据中心的通信容量呈现出爆炸性的增长，未来的数据中心需要比100G以太网更高容量的传输方案。电吸收调制激光器(Electro absorption
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modulated laser，EML)因其具有高速、低啁啾、插入损耗小、可电调谐等优点成为数据中心光源的首选器件。在电吸收调制激光器(Electro absorption
‑
modulated laser，EML)中，光栅均匀分布在整个分布反馈激光器(Distributed 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光发射芯片的制作方法，其特征在于，包括：在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层；腐蚀掉所述磷化铟衬底上任意一端的预设面积的所述二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层，得到无源区；对所述无源区进行二次外延，使所述无源区的上表面与所述二氧化硅掩蔽层的上表面位于同一高度；在所述上光限制层上靠近所述无源区的一端制作预设长度的光栅，得到光栅层；在所述光栅层和所述无源区上生长电接触层；在所述电接触层上刻蚀出与所述无源区长度相同的多模干涉反射镜；在所述电接触层上制作分布反馈激光器和电吸收调制器；在所述磷化铟衬底的底部蒸镀N面电极；在靠近所述电吸收调制器的一侧蒸镀增透膜，得到管芯；将所述管芯烧结在铜质热沉上，完成所述光发射芯片的制作。2.根据权利要求1所述的光发射芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述电接触层上制作分布反馈激光器和电吸收调制器，具体包括：在所述电接触层上制作与所述多量子阱有源区长度相同的P面电极；在所述P面电极上沿宽度方向腐蚀出一条电隔离沟，靠近所述多模干涉反射镜的一侧为分布反馈激光器，另一侧为电吸收调制器。3.根据权利要求1所述的光发射芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述上光限制层上靠近所述无源区的一端制作预设长度的光栅之前还包括：腐蚀掉所述二次外延时生成的二氧化硅掩蔽层；在所述无源区上生长一层用作光栅掩模的二氧化硅。4.根据权利要求1所述的光发射芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述光栅层和所述无源区上生长电接触层之前还包括：腐蚀掉制作所述用作光栅掩模的二氧化硅。5.根据权利要求1所述的光发射芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述电接触层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇翔，周代兵，陆丹，梁松，赵玲娟，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：