中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构制造技术

一种中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构，该中红外量子级联激光器包括衬底；有源波导结构，其设置在衬底上，包括第一接触层，其设置在衬底上；第一波导层，其设置在第一接触层上；有源区层单元，其设置在第一波导层上；第二波导层，其设置在有源区层上；以及第二接触层，其设置在第二波导层上；电隔离层，设置在有源波导结构两侧；第一电极层，与第一接触层接触且均设置在衬底上；以及第二电极层，覆盖在电隔离层和第二接触层上。本发明专利技术在保证激光器室温连续工作下发射双波长的同时仅转动闪耀光栅角度就可以实现宽调谐。

【技术实现步骤摘要】
中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构
本专利技术涉及红外及太赫兹半导体光电器件
，尤其涉及一种中红外量子级联激光器以及差频太赫兹外腔反馈光路结构。
技术介绍
太赫兹(THz)波段位于微波和红外波段之间，主要有以下几个个特点：首先，太赫兹频率比微波高1-4个数量级，通讯领域频率越高则通信容量越大，太赫兹可以提供10Gbps以上的通讯速率，可解决带宽对信息传输的限制；其次，太赫兹光子能量低，频率为1THz的光子能量只有约4毫电子伏特，因此不会对物质产生电离作用，可穿透多种材料，可应用于无损检测。最后，THz单个脉冲的频带可以覆盖从GHz直至几十THz的范围，许多生物大分子的振动和转动能级，电介质、半导体材料、超导材料、薄膜材料等的声子振动能级均在此范围，因此太赫兹光谱具有“指纹”特性。由于上述特点，太赫兹在自由空间光通讯、安全检查、毒品药品检测等领域有很大的应用前景。当前，太赫兹技术大规模发展的最大阻碍是缺乏经济、紧凑、宽调谐、电泵浦的毫瓦(mW)级太赫兹光源。目前获得稳定太赫兹光源的途径主要有两种。一种是太赫兹量子级联本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中红外量子级联激光器，包括：/n衬底；/n有源波导结构，其设置在衬底上，包括：/n第一接触层，其设置在衬底上；/n第一波导层，其设置在第一接触层上；/n有源区层单元，其设置在第一波导层上；/n第二波导层，其设置在有源区层单元上；以及/n第二接触层，其设置在第二波导层上；/n电隔离层，设置在有源波导结构两侧；/n第一电极层，与第一接触层接触且均设置在衬底上；以及/n第二电极层，覆盖在电隔离层和第二接触层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种中红外量子级联激光器，包括：
衬底；
有源波导结构，其设置在衬底上，包括：
第一接触层，其设置在衬底上；
第一波导层，其设置在第一接触层上；
有源区层单元，其设置在第一波导层上；
第二波导层，其设置在有源区层单元上；以及
第二接触层，其设置在第二波导层上；
电隔离层，设置在有源波导结构两侧；
第一电极层，与第一接触层接触且均设置在衬底上；以及
第二电极层，覆盖在电隔离层和第二接触层上。


2.根据权利要求1所述的中红外量子级联激光器，其特征在于，
位于激光器后出光腔面一侧的衬底与水平面的夹角为20至30度。


3.根据权利要求1所述的中红外量子级联激光器，其特征在于，
所述有源波导结构为切伦科夫有源波导结构。


4.根据权利要求1所述的中红外量子级联激光器，其特征在于，
所述有源区层单元包括至少一个有源区层。


5.根据权利要求4所述的中红外量子级联激光器，其特征在于，
所述有源区层为多周期级联，包括20至60个周期；
所述有源区层多周期级联中每个周期均包括至少十个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对。


6.根据权利要求1所述的中红外量子级联激光器，其特征在于，
所述第一接触层和第二接触层采用的材料均包括n型掺杂的InGaAs、InP中的至少一种；
所述第二波导层和第一波导层采用的材料包括n型掺杂的InP；
所述第二电极层采用的材料包括Ti/Au；
所述第一电极层的采用的材料包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欢，张锦川，程凤敏，刘峰奇，翟慎强，卓宁，王利军，刘俊岐，刘舒曼，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11