一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法技术

本发明专利技术提供一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，解决现有半导体激光器芯片COBD和COMD的判断成本较高、判断时间较长、生产效率较低的问题。该方法包括：步骤一、设置加载电流；步骤二、将加载电流加载在半导体激光器芯片上；步骤三、采集半导体激光器芯片的电流‑功率曲线、电流‑电压曲线；步骤四、若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。本发明专利技术方法无需专业设备，只需采集测试过程中的电流、功率值和电压值，即可进行COBD和COMD的判断，检测设备简单、成本较低，只需普通技术人员即可实现失效的判断。

A method for judging the type of optical catastrophe in semiconductor laser chip

【技术实现步骤摘要】
一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法
本专利技术属于半导体激光器失效分析领域，具体涉及一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法。
技术介绍
半导体激光器作为间接或直接光源越来越多地应用于激光光纤通信、工业造船、汽车制造、激光雕刻、激光打标、激光切割、印刷制辊、金属非金属钻孔/切割/焊接等领域。同时，随着智能化和微型化的发展，半导体激光器逐渐成为光纤激光器的主要泵源。若半导体激光器芯片要发挥外延设计时的性能，则外延材料生长和芯片制造(腔面镀膜)尤为重要。外延材料生长过程中产生的缺陷或不均匀性均会影响芯片的可靠性，甚至在芯片内部出现COBD(CatastrophicOpticalBulkDamage)。芯片制造过程中的腔面镀膜工艺也是较为重要的环节，半导体激光器芯片生产时，大多在大气环境下进行腔面解理，在大气下解理的芯片腔面容易氧化，该氧化层形成非辐射复合中心。在芯片工作时，非辐射复合中心吸收光能转换成热能，导致腔面的禁带宽度变窄，进而吸收更多的光能，形成热能正反馈，最终导致腔面出现COMD(CatastrophicOpticalM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、设置加载电流的上升步长和最大值；/n步骤二、在芯片测试过程中，根据步骤一确定的上升步长和最大值，将加载电流加载在半导体激光器芯片上；/n步骤三、采集半导体激光器芯片的电流-功率曲线、电流-电压曲线；/n步骤四、根据步骤三得到的电流-功率曲线、电流-电压曲线，判断半导体激光器芯片的失效类型；/n若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；/n若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。/n

【技术特征摘要】
1.一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、设置加载电流的上升步长和最大值；
步骤二、在芯片测试过程中，根据步骤一确定的上升步长和最大值，将加载电流加载在半导体激光器芯片上；
步骤三、采集半导体激光器芯片的电流-功率曲线、电流-电压曲线；
步骤四、根据步骤三得到的电流-功率曲线、电流-电压曲线，判断半导体激光器芯片的失效类型；
若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；
若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。


2.根据权利要求1中的判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于：步骤一中，加载电流的上升步长为0.1～1.0A，最大值为半导体激光器芯片额定电流的1.0倍～1....

【专利技术属性】
技术研发人员：任占强，李波，李青民，王宝超，李喜荣，仇伯仓，
申请(专利权)人：西安立芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61