【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，具体涉及一种芯片单元及其制备方法、半导体激光器模组。
技术介绍
1、随着激光器技术的发展，激光在各个领域得到充分的应用。尤其是半导体激光器，因为其体积小、效率高、易集成及免维护等特点，已经广泛应用于材料加工、医疗美容、激光雷达和航天航空等领域。
2、为确保半导体激光器的能量满足使用要求，激光器均有多个巴条芯片通过并联和串联的方式提高功率；在使用时由于激光器功率密度大，所封装过程中焊料溢出出现在芯片发光区域容易造成出光遮挡导致芯片烧损，焊料溢出发生在芯片侧腔容易导致芯片漏电流偏大造成芯片失效。
3、目前在激光器模组封装过程中对芯片焊料溢出控制主要采用芯片发光区域突出热沉，防止芯片焊料溢出发光区域；但是芯片发光区域是整个芯片功率密度最大的区域，也是芯片温度最高的区域，芯片突出热沉，经常导致芯片热量无法以最短路径传输到热沉，使得整个产品的热阻增加，进而芯片温度过高，导致芯片失效；而且芯片突出热沉，在整个产品封装过程中芯片无法得到外界保护，容易造成芯片破损导致产品失效。
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【技术保护点】
1.一种芯片单元，其特征在于：包括芯片(1)和平行焊接于芯片(1)两侧的两个热沉(2)；
2.根据权利要求1所述的芯片单元，其特征在于：所述焊料截止槽(3)设置于热沉(2)与芯片(1)焊接的侧面上，所述焊料截止槽(3)的整体形状为开口朝向远离芯片(1)发光区方向的直角U形结构，且该直角U形结构的开口端延伸至热沉(2)的对应端面；所述焊料截止槽(3)的槽底设置有平行于槽延伸方向的凸起，使得焊料截止槽(3)横截面为W型。
3.根据权利要求2所述的芯片单元，其特征在于：所述热沉长为10mm、宽为1mm，所述焊料截止槽(3)的槽深为30μm，槽宽为50...
【技术特征摘要】
1.一种芯片单元，其特征在于：包括芯片(1)和平行焊接于芯片(1)两侧的两个热沉(2)；
2.根据权利要求1所述的芯片单元，其特征在于：所述焊料截止槽(3)设置于热沉(2)与芯片(1)焊接的侧面上，所述焊料截止槽(3)的整体形状为开口朝向远离芯片(1)发光区方向的直角u形结构，且该直角u形结构的开口端延伸至热沉(2)的对应端面；所述焊料截止槽(3)的槽底设置有平行于槽延伸方向的凸起，使得焊料截止槽(3)横截面为w型。
3.根据权利要求2所述的芯片单元，其特征在于：所述热沉长为10mm、宽为1mm，所述焊料截止槽(3)的槽深为30μm，槽宽为50μm，直角u形结构底部的外侧槽边距离热沉(2)下端边缘10μm，焊料截止槽(3)两侧的外侧槽边距离热沉相应侧边缘150μm。
4.根据权利要求1所述的芯片单元，其特征在于：所述焊料截止槽(3)设置于芯片(1)与热沉(2)焊接...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亚旗，孙翔，李青民，刘雷雷，
申请(专利权)人：西安立芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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