高质量低应力AlN图形模板的制备方法技术

一种AlN图形模板的制备方法，包括以下步骤：提供耐高温衬底；在所述衬底上沉积一层AlN薄膜，形成低质量AlN模板；在所述低质量AlN模板上形成微、纳米级图案，制作成低质量AlN图形模板；将得到的所述低质量AlN图形模板放入高温退火设备中进行退火处理，即得到高质量低应力AlN图形模板。本发明专利技术提供的技术方案能获得更高晶体质量和更低应力的AlN模板，且制备工艺简单有效稳定，成本低，便于产业化应用。

【技术实现步骤摘要】
高质量低应力AlN图形模板的制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种高质量低应力A1N图形模板的制备方法。
技术介绍
自上世纪90年代以来，GaN基LED引起广泛关注并取得了迅猛的发展。LED具有波长连续可调、轻便灵活、能耗低、工作电压低、定向发光、无污染、寿命长、响应时间快等显著优势，在白光照明、光通信、聚合物固化、杀菌消毒等方面有着巨大的市场价值或潜在应用价值。特别是深紫外LED，对公共卫生安全、健康医疗产业、绿色环保产业影响巨大。深紫外LED的核心材料是AlN和高Al组分AlGaN，通常是在蓝宝石衬底上异质外延得到。想要获得高发光效率的深紫外LED，首先需要获得高质量、低应力的AlN模板。但由于AlN和蓝宝石衬底之间大的晶格失配(等效晶格失配13.3％)和热失配(44％)，蓝宝石衬底异质外延的AlN有密度高达1010cm-2的位错，且AlN层中存有较强的压应力，在后续AlN、AlGaN材料生长过程中，压应力又会逐渐以位错、缺陷的形式弛豫。基于微纳米图形模板的侧向外延技术能有效改善上述问题，而微纳米图形模板的晶体质量和应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlN图形模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供耐高温衬底；/n在所述衬底上沉积一层AlN薄膜，形成总位错密度为第一预设范围的AlN模板；/n在所述总位错密度为第一预设范围的AlN模板上形成微、纳米级图案，制作成总位错密度为第一预设范围的AlN图形模板；/n将得到的所述总位错密度为第一预设范围的AlN图形模板放入高温退火设备中进行退火处理，即得到总位错密度为第二预设范围的AlN图形模板。/n

【技术特征摘要】
1.一种AlN图形模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供耐高温衬底；
在所述衬底上沉积一层AlN薄膜，形成总位错密度为第一预设范围的AlN模板；
在所述总位错密度为第一预设范围的AlN模板上形成微、纳米级图案，制作成总位错密度为第一预设范围的AlN图形模板；
将得到的所述总位错密度为第一预设范围的AlN图形模板放入高温退火设备中进行退火处理，即得到总位错密度为第二预设范围的AlN图形模板。


2.根据权利要求1所述的AlN图形模板的制备方法，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、石英玻璃或金属耐高温材料。


3.根据权利要求1所述的AlN图形模板的制备方法，其特征在于，所述沉积AlN薄膜的方法为磁控溅射、MOCVD、MBE或HVPE。


4.根据权利要求1所述的AlN图...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭亚楠，刘志彬，闫建昌，李晋闽，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11