高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法技术

一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，包括以下步骤：提供耐高温衬底；采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜，厚度分别为0.1微米至1微米，形成低质量双面AlN模板；将得到的双面沉积的低质量AlN模板放入高温设备中进行退火处理，制备高质量双面AlN模板。本发明专利技术实现了对AlN模板的应力与晶圆翘曲比较好的控制，很好的避免了在芯片工艺制作过程中所导致的晶圆崩裂，并提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法
本专利技术涉及氮化物半导体制备
，具体涉及一种高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法。
技术介绍
AlGaN基光电器件和电子器件具有节能环保等优点，在近几年得到大力发展。例如，AlGaN基紫外LED可替代传统汞灯作为紫外消毒杀菌光源，而AlGaN是制作微波传输器件的理想材料。在这些器件制作过程中，作为底层的AlN模板质量尤为重要。AlN模板的材料质量难以提高的原因在于外延层与衬底之间存在较大的热失配和晶格失配会导致较高的位错密度，而且Al原子的粘附系数较大，导致其较难在衬底表面进行迁移，在生长初期成核岛数量较多并且在生长过程中较难形成位错弯曲使其大量湮灭。为提升AlN模板的质量，研究人员提出了多种制备方法，包括插入层法、氨气调制法、NPSS衬底等。其中，高温处理法是一种简单易行的方法。一般来说，由于AlN与异质衬底之间存在较大热失配和晶格失配，AlN模板经过高温处理后会具有较大压应力。AlN模板的应力作为表面能的一部分，对后续外延生长AlGaN时原子的迁移有较大影响。较大的应力会增加原子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供耐高温衬底；/n采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜，厚度分别为0.1微米至1微米，形成总位错密度为第一预设范围的双面AlN模板；/n将得到的双面沉积的总位错密度为第一预设范围的AlN模板放入高温设备中进行退火处理，制备总位错密度为第二预设范围的双面AlN模板。/n

【技术特征摘要】
1.一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供耐高温衬底；
采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜，厚度分别为0.1微米至1微米，形成总位错密度为第一预设范围的双面AlN模板；
将得到的双面沉积的总位错密度为第一预设范围的AlN模板放入高温设备中进行退火处理，制备总位错密度为第二预设范围的双面AlN模板。


2.如权利要求1所述的AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，其特征在于，经过所述高温退火后，反面AlN薄膜的厚度能够控制正面AlN薄膜的应力以及整个晶圆的翘曲度；正面AlN薄膜的厚度能够控制反面AlN薄膜的应力以及整个晶圆的翘曲度。


3.如权利要求1所述的AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，其特征在于，所述衬底样式包括图形化衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志彬，郭亚楠，闫建昌，李晋闽，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11