低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器制造技术

一种低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器，该p型接触层为重掺杂Mg的p型GaN或p型AlGaN，Mg掺杂浓度为1×10

【技术实现步骤摘要】
低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器
本专利技术涉及半导体光电子器件领域，特别是一种低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器。
技术介绍
氮化镓基半导体激光器理论上的激射波长覆盖了从红外到深紫外波段的宽广范围，在固态照明、激光投影和显示、生物消毒和杀菌等领域具有广泛的应用。目前已经商品化的氮化镓基激光器的波长包括蓝光、紫光、绿光和部分近紫外。与可见光波段的激光器相比，在紫外波段的氮化镓基激光器的平均Al组分增加。在量子阱有源区中，为了提高对阱内载流子的量子限制作用，AlGaN垒层代替了InGaN或GaN垒层。在波导层和限制层，为了增强光学限制作用，用AlGaN或GaN代替了GaN或InGaN波导层，并提高了AlGaN限制层中的Al组分。对于p型欧姆接触层，紫外波段和可见光波段的氮化镓基激光器有不同的要求。此前已有报道，在对金属电极的组分、厚度、退火条件进行细致研究的同时，在p型欧姆接触层之上增加一层较薄的重掺杂接触层可以改善欧姆接触特性。该层材料可以为GaN或InGaN，利用重掺杂Mg形成的杂质能级，使得载流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低比接触电阻率的p型接触层，该p型接触层为重掺杂Mg的p型GaN或p型AlGaN，Mg掺杂浓度为1×10

【技术特征摘要】
1.一种低比接触电阻率的p型接触层，该p型接触层为重掺杂Mg的p型GaN或p型AlGaN，Mg掺杂浓度为1×1020至3×1021cm-3，A1组分为0至0.3。


2.如权利要求1所述的p型接触层，其特征在于，
所述p型接触层的厚度为5至30nm，生长温度为900至1000℃，反应室压强为200至400Torr，氨气流量为5至9slm，V族源和III族源的摩尔比为5000至10000；
所述p型接触层的比接触电阻率小于10-4Ω·cm2。


3.一种氮化镓基紫外激光器，内含有如权利要求1或2所述的p型接触层。


4.如权利要求3所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述氮化镓基紫外激光器还包括：
一衬底；
一n型同质外延层，其制作在衬底上；
一n型限制层，其制作在n型同质外延层上；
一n型波导层，其制作在n型限制层上；
一有源区，其制作在n型波导层上；
一p型电子阻挡层，其制作在有源区上；
一p型波导层，其制作在p型电子阻挡层上；
一p型限制层，其制作在p型波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形，p型接触层制作在该凸起的脊形上；
一p型欧姆电极，其制作在p型接触层上；以及
一n型欧姆电极，其制作在衬底的底部。


5.如权利要求4所述的氮化镓基紫外激光器，其特征在于，
所述衬底包括氮化镓同质衬底，其中，氮化镓同质衬底为n型掺杂的自支撑氮化镓材料，厚度为200至1000μm；
所述n型同质外延层包括n型GaN同质外延层，其中，n型GaN同质外延层为掺Si的n型G...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈平，赵德刚，朱建军，刘宗顺，杨静，梁锋，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11