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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
光纤耦合输出半导体激光器制造技术
本发明公开了一种光纤耦合输出半导体激光器,包括:半导体激光模块,输出激光;光束合束系统,对半导体激光模块输出的激光进行合束;空间‑光纤耦合器,接收合束后的激光并对其进行聚焦;以及光纤,与空间‑光纤耦合器间为快插式连接,实现聚焦后的激光的...
倒装LED红光器件结构及其制备方法技术
本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法,结构包括:倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中,倒装蓝光LED芯片结构包括:蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN层;...
一种缓冲层结构及其制备方法技术
一种缓冲层结构,包括:衬底;氧化物缓冲层,形成于衬底之上;氧化铱层,形成于所述氧化物缓冲层之上;铂族金属籽晶层,形成于所述氧化铱层之上;铂族金属层,形成于所述铂族金属籽晶层之上。采用碳化硅、硅以及蓝宝石等作为衬底,制备加工流程与当前半导...
基于宇称时间对称性的三腔耦合激光器制造技术
本公开提供了一种基于宇称时间对称性的三腔耦合激光器,自下而上顺次包括:下电极层、N型波导层、有源区、P型波导层、绝缘层和上电极层;所述P型波导层还包括:至少一个损耗腔和多个增益腔,所述增益腔对称设置于所述损耗腔两侧;所述损耗腔和所述增益...
自由光谱区可调谐光滤波器制造技术
一种光滤波器,包括光波导单元和光开关单元,其中:光波导单元包括输入光波导、中间光波导、N级光波导及输出光波导,光开关单元包括输入光开关、N‑1个2×2光开关及输出光开关;其中,所述中间光波导、N级光波导和光开关单元形成一闭合环形谐振腔,...
基于双平行马赫曾德尔调制器的多频信号测量设备制造技术
本公开提供一种基于双平行马赫曾德尔调制器的多频信号测量设备,包括:激光器,用于提供光信号;待测信号接收端,接收待测信号并放大;参考微波信号源,用于提供参考微波信号;直流源,用于提供直流偏置电压,包括相互独立的第一直流源、第二直流源、以及...
应变补偿型量子级联探测器制造技术
本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器,包括:衬底;下接触层,外延生长于衬底之上;周期性应变补偿量子级联功能层,外延于下接触层之上,包括多个级联周期;上接触层,外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上;下接触电极,位于刻蚀上接触层和周期...
基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法技术
本公开提供一种基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法,包括:步骤S1:在基底上制备金属催化剂膜;步骤S2:对步骤S1制备的金属催化剂膜进行加工生成图形化金属催化剂膜层;以及步骤S3:利用等离子体化学气相沉积工艺同步生成并图形化石墨...
一种微流控芯片及其检测方法技术
本发明提供了一种微流控芯片,包括:上微流通道层(1)、主体通道层(2)、下微流通道层(3)、上窗口层4以及下窗口层5;主体通道层(2)设置于上微流通道层(1)与下微流通道层(3)之间,上窗口层4设置于上微流通道层1的上方,下窗口层5设置...
一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的样品台结构制造方法及图纸
一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的样品台,其特征在于,该样品台呈圆柱状结构,上表面具有一凹曲面,该凹曲面具有至少一个凹槽,用于放置化学气相沉积所需的衬底或衬底托盘。所述样品台的上表面全部为凹曲面,或者所述样品台的上表面的中心位置为凹...
提高激光清洗表面均匀程度的激光清洗方式和设备制造技术
本发明公开了一种提高激光清洗表面均匀程度的激光清洗方式和设备,其中,该激光清洗方式和设备包括:对电机施加尖顶正弦波信号;通过该电机控制振镜摆动;通过该振镜的摆动将激光器发出的激光光束进行整形;利用整形后的光束进行激光清洗。本发明提供的该...
基于侧向光栅的窄线宽垂直腔面发射半导体激光器制造技术
一种垂直腔面发射半导体激光器,该垂直腔面发射半导体激光器包括:高掺杂衬底;谐振腔,位于所述高掺杂衬底的正面,用于选模及扩展腔长;侧向光栅,环绕在所述谐振腔的周围,用于对所述谐振腔的有源区内泄漏到侧向光栅的光进行衍射反馈,从而压窄线宽;接...
用于提高激光器功率的声光Q开关、谐振腔和脉冲激光器制造技术
一种用于提高激光器功率的声光Q开关、谐振腔及脉冲激光器,该声光Q开关包括透明光学元件,用于形成对激光起到衍射作用的相位光栅;压电换能器,设置在透明光学元件的一端,用于将电能转换成超声波能使透明光学元件内形成相位光栅;以及吸收体,设置在透...
平面GaN基紫外探测器及其制作方法技术
本发明公开了一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法,涉及半导体器件技术领域。该紫外探测器制作方法包括:光刻后选择性刻蚀第一SiO
MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法技术
本公开提供了一种MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法,其中探测器包括:外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极;外延结构包括:衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层;在n‑GaN外延层上层进行电化学腐蚀...
背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法,该方法由以下步骤实现:用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上;用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上;用焊锡将引出线焊在陶瓷片...
手写字符识别方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸
一种手写字符识别方法,应用于计算机技术领域,包括:获取待识别的手写字符图片,生成与该待识别的手写字符图片字符相同的模板字符图片,将该模板字符图片输入给深度匹配神经网络,以使该深度匹配神经网络提取该模板字符图片的模板字符特征,将该待识别的...
用于三维扫描的结构振镜及应用其的激光雷达制造技术
一种用于三维扫描的结构振镜及应用其的激光雷达,用于三维扫描的结构振镜包括:振镜本体,包括多个分别呈不同角度设置的反射镜;旋转轴,用于所述振镜本体围绕所述旋转轴进行圆周转动;步进轨道,用于所述振镜本体沿所述步进轨道步进移动,且所述振镜本体...
用于三维扫描的复合结构转镜及应用其的激光雷达制造技术
一种用于三维扫描的复合结构转镜及应用其的激光雷达,用于三维扫描的复合结构转镜包括:转镜本体,包括多个转镜单元,每个转镜单元包括:反射面;折射介质,设置于所述反射面外侧,所述折射介质包括多个折射率不同的折射介质单元;旋转轴,设置于所述转镜...
掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂技术
一种掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂,该腐蚀剂,包括三氧化铬、氢氟酸和水,其中,三氧化铬、氢氟酸、水的配制比例为(0.5至2)g:(2至10)mL:(0至50)mL。本发明生长条纹的腐蚀剂的原料易于得到且价格低廉,该腐蚀剂具有操作...
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