平面GaN基紫外探测器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该紫外探测器制作方法包括：光刻后选择性刻蚀第一SiO

【技术实现步骤摘要】
平面GaN基紫外探测器及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，特别是指一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法。
技术介绍
紫外技术是继红外和激光探测技术之后的又一军民两用光电探测技术。在导弹预警、飞行器制导、秘密通信、生物医药分析、公安侦察、火情探测、天文观测、海油监测等军事和民用领域都具有十分重要的应用。作为第三代半导体材料的GaN基材料，具有禁带宽度大、电子饱和速度高、介电常数小等优点，优越的化学稳定性使其可以在苛刻的条件下工作。特别是其三元合金AlxGa1-xN，随Al组份的变化其禁带宽度在3.14eV～6.12eV之间连续变化，对应的光谱范围为365nm～200nm，是制作紫外探测器的理想材料之一。常规的GaN基紫外探测器是采用先生长GaN基探测器材料，然后刻蚀台面，再生长钝化层的工艺。刻蚀后台面会存在pn结的侧面漏电，严重影响器件性能。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目的在于，提供一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法，使器件制作过程中不需要探测器材料的台面刻蚀工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，包括：/n生长第一SiO

【技术特征摘要】
1.一种平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，包括：
生长第一SiO2钝化层(13)；
光刻后选择性刻蚀第一SiO2钝化层(13)形成至其底部的的孔洞；
在所述第一SiO2钝化层(13)刻蚀的孔洞内，从下到上依次生长n型掺杂层(21)、i型层(22)和p型掺杂层(23)。


2.根据权利要求1所述的平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，在光刻第一SiO2钝化层(13)之前还包括：在一衬底(10)上依次生长缓冲层(11)和n型缓冲层(12)；其中，所述第一SiO2钝化层(13)生长在所述n型缓冲层(12)上。


3.根据权利要求1所述的平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，在生长完p型掺杂层(23)之后还包括：
材料减薄处理，去除在第一SiO2钝化层(13)上的多余材料；
光刻并刻蚀部分第一SiO2钝化层(13)至n型缓冲层(12)表面，并制作n型欧姆接触金属层(31)与所述n型缓冲层(12)接触；
在p型掺杂层(23)表面制作p型欧姆接触金属层(32)；
在第一SiO2钝化层(13)上生长第二SiO2钝化层(33)；
光刻并刻蚀n型欧姆接触金属层(31)和p型欧姆接触金属层(32)表面的部分第二SiO2钝化层(33)；
在n型欧姆接触金属层(31)和p型欧姆接触金属层(32)的表面制作加厚金属层(34)。


4.根据权利要求3所述的平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，所述的生长第一SiO2钝化层(13)和生长第二SiO2钝化层(33)的方法为磁控溅射或等离子体增强化学气相沉积。


5.根据权利要求3所述的平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，所述的材料减薄处理方法为，先使用机械研磨，再化学机械抛光。


6.根据权利要求3所述的平面GaN基紫外探测器制作方法，其特征在于，所述的n型欧姆接触金属层(31)、p型欧姆接触金属层(32)和加厚金属层(34)的制作方法为磁控溅射或电子束蒸发方法。


7.一种平面GaN基紫外探测器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏艳梅，种明，张冶金，孙捷，孙秀艳，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11