一种具有弧形增透作用的光电探测器结构制造技术

本实用新型专利技术为一种具有弧形增透作用的光电探测器结构。该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。本实用新型专利技术制备方法简单，可操作性强，成本低，而且在进一步增强透光率的同时，降低器件自热效应，改善量子效率。

A photodetector structure with arc antireflection

【技术实现步骤摘要】
一种具有弧形增透作用的光电探测器结构
本技术涉及一种具有弧形增透作用的光电探测器结构，尤其涉及一种高响应度雪崩光电探测器，属于半导体光电子器件

技术介绍
紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的一项军民两用光电探测技术，而紫外探测器是紫外探测系统的核心元器件，在火灾监测、紫外固化、紫外消毒、医疗保健、国防预警、导弹告警等领域有着非常重要的应用前景。近年来，基于宽禁带半导体雪崩光电二极管(APD)的固态紫外探测器引起国际广泛的研究兴趣，旨在替代目前被大量使用的体积大、价格昂贵且易破碎的光电倍增管(PMT)。氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)APD因具有独特的材料和器件性能优势，是有望可以同时实现高增益、高量子效率、低暗电流、低过载噪声及微弱信号“可见光盲”紫外探测的半导体器件。常见的光电探测器结构有：金属-半导体-金属(MSM)结构、PN/PIN结构、雪崩光电探测器(APD)结构。无论采用何种器件结构，都希望提高器件的响应度来增加探测的灵敏度，基于此，研究人员做了一系列的研究，专利号为CN106784121A的中国专利公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有弧形增透作用的光电探测器结构，其特征为该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构的投影面积占上表面面积的70％～100％。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有弧形增透作用的光电探测器结构，其特征为该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构的投影面积占上表面面积的70％～100％。


2.如权利要求1所述的具有弧形增透作用的光电探测器结构，其特征为所述的上表面的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形；
当上表面为弧形时，所述的弧形的弧度大于0，且小于π；所述的弧形为内弧或外弧；
当上表面的形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辉，寇建权，张勇辉，周幸叶，冯志红，
申请(专利权)人：河北工业大学，中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：天津;12