隔热导电偏压衬底托制造技术

本公开提供了一种隔热导电偏压衬底托，包括托体、石墨件、偏压电极、绝缘部。衬底放置于所述托体上表面；所述石墨件为石墨板或石墨杆；偏压电极与所述石墨件相连；绝缘部与所述石墨件下表面相连，所述绝缘部与腔体壁板相连。绝缘部包括第一绝缘件和第二绝缘件。本公开中隔热导电偏压衬底托在加热状态下，既能减少衬底温度波动，实现良好的保温效果，又能防止衬底将过多热量传递到偏压电极上引起偏压电极失效，节约电能，更加利于高质量的膜层外延生长。

【技术实现步骤摘要】
隔热导电偏压衬底托
本公开涉及半导体材料制备领域，尤其涉及一种用于真空环境中膜层外延生长，特别是用于大面积金刚石膜层生长的隔热导电偏压衬底托。
技术介绍
半导体金刚石具有超宽带隙、高载流子迁移率、高载流子饱和漂移速率、高击穿场强、大激子束缚能等优异的电学和光学性质，使其在大功率微波器件、电力电子器件以及深紫外光电子器件的研制方面具有广阔的应用前景。相比小面积的单晶金刚石，大面积高质量单晶金刚石有着很强的市场需求和应用潜力。在众多制备方法中，微波等离子体化学气相沉积被公认为是获得电子级单晶金刚石材料的最佳方法。由于同质外延受到金刚石衬底大小的限制且外延成本高，故采用大面积衬底进行异质外延，是制备大面积高质量单晶金刚石的最佳方式。异质外延仍然存在很多问题，其中如何增强成核效率以及如何增加成核密度是目前面临的重要问题。通过对衬底施加偏压是一种有效增加成核密度的方法。目前，对样品施加有效偏压最常见的方法是将偏压电极和托体直接相连。但这种方法会存在以下缺点：样品的热量极易通过偏压电极的传导而散失，导致样品热量不易维持，温度波动较大；而过多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隔热导电偏压衬底托，其中，包括/n托体，衬底放置于所述托体上表面；/n石墨件，所述石墨件上端与所述托体下表面相连；/n偏压电极，与所述石墨件下端相连；/n绝缘部，所述绝缘部与腔体壁板相连；所述绝缘部与所述石墨件下端相连，且所述绝缘部套设在所述偏压电极上。/n

【技术特征摘要】
1.一种隔热导电偏压衬底托，其中，包括
托体，衬底放置于所述托体上表面；
石墨件，所述石墨件上端与所述托体下表面相连；
偏压电极，与所述石墨件下端相连；
绝缘部，所述绝缘部与腔体壁板相连；所述绝缘部与所述石墨件下端相连，且所述绝缘部套设在所述偏压电极上。


2.根据权利要求1所述的隔热导电偏压衬底托，其中，所述石墨件为石墨板或石墨杆。


3.根据权利要求1所述的隔热导电偏压衬底托，其中，所述绝缘部包括：
第一绝缘件，所述第一绝缘件的下端伸入所述腔体壁板内，所述第一绝缘件的上端与所述腔体壁板的端部相连；
第二绝缘件，所述第二绝缘件套设在所述第一绝缘件外，所述第二绝缘件套设在所述偏极电压上。


4.根据权利要求1所述的隔热导电偏压衬底托，其中，所述托...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚男，霍晓迪，周广迪，金鹏，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11