曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法技术

一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法，该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池；曲面陷光结构，设置在硅下电池上；载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；透明电极，设置在钙钛矿上电池上；以及金属电极，设置在透明电极上。本发明专利技术曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构，不容易导致薄膜中缺陷态的产生；曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜，因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。

【技术实现步骤摘要】
曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法
本专利技术涉及太阳电池领域，特别地涉及一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法。
技术介绍
提高太阳电池能量转换效率是促进太阳能利用的有效途径，对解决能源和环境问题具有重要意义。叠层太阳电池能够对太阳光谱进行分波段高效利用，相对于单结太阳电池具有更高的转换效率，因此更有利于提升单位面积内太阳能的利用率，从而降低光伏电站的建设成本，提升太阳电池应用的灵活性和广泛性。目前，硅基太阳电池具有转换效率高、性能稳定等特点，是目前光伏市场中的主导产品。而金属卤化物钙钛矿太阳电池因其低成本、高效率等特性，成为研究最广泛、最具发展潜力的太阳电池。硅和钙钛矿材料具有光谱互补的带隙结构，且钙钛矿材料易于用低成本的方式在硅电池上实现叠层，因此它们是制备叠层电池的理想组合。开发钙钛矿/晶硅叠层电池有利于利用现有的成熟硅太阳电池技术，拓展硅太阳电池的应用场景。因此，为进一步提高电池效率，降低成本，提升器件稳定性，发展新型钙钛矿/晶硅两端叠层太阳电池势在必行。目前钙钛矿/晶硅叠层太阳电池实际能量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，包括：/n硅下电池；/n曲面陷光结构，设置在硅下电池上；/n载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；/n钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；/n透明电极，设置在钙钛矿上电池上；以及/n金属电极，设置在透明电极上。/n

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，包括：
硅下电池；
曲面陷光结构，设置在硅下电池上；
载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；
钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；
透明电极，设置在钙钛矿上电池上；以及
金属电极，设置在透明电极上。


2.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，
所述的曲面陷光结构的特征尺寸范围在1μm至20μm之间；曲面陷光结构中相邻两个凸起之间的间距范围在1μm至20μm之间；
所述载流子复合层、钙钛矿上电池、透明电极与曲面陷光结构的曲面保持相同形状，或钙钛矿上电池将曲面陷光结构填平。


3.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，
所述载流子复合层包括透明导电复合结或掺杂隧穿结中的任一种；
所述载流子复合层的厚度范围在5nm至20nm之间。


4.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，
所述硅下电池包括晶硅电池、本征膜异质结电池、钝化发射极背面电池中的任一种。


5.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，
所述钙钛矿上电池吸光层材料结构为ABX3，其中A为甲胺、甲脒、Cs、Rb中的任一种或四者阳离子的混合物，B为Pb或Sn，X为Cl、Br、I中的任一种或三者阴离子的混合物；
所述钙钛矿上电池的带隙范围在1.5eV至1.8eV之间；
所述透明电极采用的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘孔，王智杰，曲胜春，吴玉林，岳世忠，孙阳，李其聪，杨诚，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11