一种感应结太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种感应结太阳电池及其制备方法。具体的，本发明专利技术提供了一种太阳电池，包括P型半导体衬底；下电极，所述下电极位于所述P型半导体衬底的背表面上；感应层，所述感应层自下而上包括过渡层、电荷增强层和抗反射层，且固定电荷密度达到10

【技术实现步骤摘要】
一种感应结太阳电池及其制备方法
本专利技术属于太阳电池领域，具体涉及一种感应结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
光伏发电是利用太阳能的重要形式，太阳光入射到太阳电池内部，能量大于太阳电池材料带隙的光子会产生电子－空穴对，电子－空穴对在内建电场的作用下分离并向两端移动，将两端与含有负载的外电路相连，太阳电池就会对负载做功，从而实现光能与电能的转换。由此可见，内建电场是保证太阳电池正常工作的重要环节。内建电场通常是在半导体材料上形成一个或者多个p-n结来构成，目前市场上销售的太阳电池大部分是以p型晶体硅为衬底材料，其p-n结是通过高温磷扩散来实现。众所周知，这种太阳电池会存在以下几个缺点：1）发射区重掺杂导致禁带宽度变窄效应；2）扩散过程中在硅表面引入高浓度缺陷和复合中心，产生“死层”，引起太阳电池光谱响应降低；3）高温过程使材料少子寿命降低。为了克服高温制备p-n结的缺点，许多低温制备p-n结的技术被提出，感应结太阳电池就是其中的一种。Metal-Insulator-Semiconductor/InversionLayerSola本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感应结太阳电池，其特征在于：所述太阳电池包括p型半导体衬底，所述衬底下方设有下电极，所述衬底的上方设有感应层，所述感应层的上方设有上电极，所述感应层自下而上包括过渡层、电荷增强层和抗反射层。/n

【技术特征摘要】
1.一种感应结太阳电池，其特征在于：所述太阳电池包括p型半导体衬底，所述衬底下方设有下电极，所述衬底的上方设有感应层，所述感应层的上方设有上电极，所述感应层自下而上包括过渡层、电荷增强层和抗反射层。


2.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述p型半导体衬底为单晶硅、非晶硅、多晶硅、锗、III-VI族化合物、II-VII族化合物中的一种。


3.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述上下电极为Al、Ni、Cr、Au、Ti、Pd、Ag中的一种或几种。


4.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述电荷增强层成分为氯化铷、氯化钙、氯化钾和氯化镁一种或几种。


5.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述过渡层为氧化硅或氮氧化硅薄膜。


6.根据权利要求1所述的感应结太阳电池，其特征在于：所述抗反射层为氮化硅薄膜。


7.一种如权利要求1-6任一项所述的感应结太阳电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）先在待处理p型半导体衬底正面通过化学气相沉积、溅射、直接...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘淼，陈文志，杨惠山，李帅，吴平辉，
申请(专利权)人：泉州师范学院，
类型：发明
国别省市：福建;35