一种硅片高温氧化工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种硅片高温氧化工艺，高温氧化在高温氧化设备上进行，所述高温氧化设备包括入料段、升温段、恒温段、冷却段、出料段，各段均用穿设在设备腔体两侧之间的转动的陶瓷轴进行传送，通过工控电脑设置各段的温度曲线，确保各段温差控制在±3℃；首先将硅片放入高温氧化设备入料段的陶瓷轴上，然后在陶瓷轴的转动下将硅片依次传送经过升温段、恒温段、冷却段、出料段，恒温段的设备腔内设有红外加热装置和氧气发生器，陶瓷轴上的硅片在此段发生氧化反应，后再经冷却段风冷后即得表面有氧化层的硅片。该工艺所得硅片氧化一致性好，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片高温氧化工艺
本专利技术涉及半导体
，具体公开了一种一种硅片高温氧化工艺。
技术介绍
随着国内晶硅太阳能电池片生产工艺不断升级，为了防止SE硅片在抛光时，其正面磷硅玻璃层受到破坏，需要在抛光前，在硅片表面增加SiOx掩膜辅助抛光。申请号为CN201110446243.4的中国专利技术专利中给出了一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺，包括以下步骤：(1)进舟：将晶体硅片装舟后推进氧化炉管内；(2)温度稳定：调整氧化炉管内的温度；(3)氧化：在氧化炉内注入氧气和氮气对硅片进行氧化；(4)稳定：氧化完成后停止向氧化炉内供氧，调节氮气的流量和氧化炉内的温度；(5)退舟：把装有氧化后硅片的石英舟或石墨舟从氧化炉管中退出。该工艺成本低，工艺设备要求简单，且无需增加额外的设备，其通过在镀钝化膜前将晶体硅片置于氧化炉管中高温干法氧化生长一层氧化膜，与氮化硅薄膜形成性能优异的双层膜，该双层膜具备优异的钝化和减反射性能。然而该工艺其实隐含了需要打开舟盖子将硅片放入舟内后盖住盖子和拿出舟以及打开盖子拿取硅片的步骤，这个动作虽然简单，但对于工厂大规模生产而言本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片高温氧化工艺，其特征在于，高温氧化在高温氧化设备上进行，所述高温氧化设备包括入料段(1)、升温段(2)、恒温段(3)、冷却段(4)、出料段(5)，各段均用穿设在设备腔体两侧之间的陶瓷轴(12)进行传送，首先通过工控电脑设置各段的温度曲线，确保各段温差控制在±3℃；然后将硅片放入高温氧化设备入料段(1)的陶瓷轴(12)上，然后在陶瓷轴(12)的转动下将硅片依次传送经过升温段(2)、恒温段(3)、冷却段(4)、出料段(5)，恒温段(3)的设备腔内设有红外加热管(13)和氧气发生器(14)，陶瓷轴(12)上的硅片在此段发生氧化反应，后再经冷却段(4)风冷后即得表面有氧化层的硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片高温氧化工艺，其特征在于，高温氧化在高温氧化设备上进行，所述高温氧化设备包括入料段(1)、升温段(2)、恒温段(3)、冷却段(4)、出料段(5)，各段均用穿设在设备腔体两侧之间的陶瓷轴(12)进行传送，首先通过工控电脑设置各段的温度曲线，确保各段温差控制在±3℃；然后将硅片放入高温氧化设备入料段(1)的陶瓷轴(12)上，然后在陶瓷轴(12)的转动下将硅片依次传送经过升温段(2)、恒温段(3)、冷却段(4)、出料段(5)，恒温段(3)的设备腔内设有红外加热管(13)和氧气发生器(14)，陶瓷轴(12)上的硅片在此段发生氧化反应，后再经冷却段(4)风冷后即得表面有氧化层的硅片。


2.根据权利要求1所述的硅片高温氧化工艺，其特征在于，入料段(1)的长度为100mm，温度为室温；升温段(2)的长度为1000mm，温度设定为550±5℃，硅片在此段的处理时间为17(轻质耐火砖层)s；恒温段(3)从入到出依次分为第一恒温段(3)、第二恒温段(3)、第三恒温段(3)和第四恒温段(3)，第一恒温段(3)的长度为1100mm，温度设定为600±5℃，硅片在此段的处理时间为19(设备外板)s，第二恒温段(3)的长度为1100mm，温度设定为650±5℃，硅片在此段的处理时间为19(设备外板)s，第三恒温段(3)的长度为1100mm，温度设定为650±5℃，硅片在此段的处理时间为19(设备外板)s，第四恒温段(3)的长度为1250mm，温度设定为650±5℃，硅片在此段的处理时间为21...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔水炜，程建，万肇勇，吴章平，
申请(专利权)人：苏州昊建自动化系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32